เพิ่มเติมนิดนึง

เรื่องกระแสไฟรั่ว IEEE spectrum ฉบับเดือนตุลาคม ได้อธิบายไว้ว่าเป็นอิเล็กตรอนที่รั่วจาก Channel ไปยัง Gate
ใน transistor แบบ MOSFETs เนื่องจากฉนวนที่สร้างจาก SiO_2 ที่บางมาก ทำให้เกิดความร้อนที่ตัวถัง CPU

เป็นการออกแบบ CMOS ทรานซิสเตอร์ใหม่ครั้งใหญ่ ตั้งแต่ปลายทศวรรษที่ 1960

อินเทลเปิดตัว 45nm ใน SC07 ด้วย เดี๋ยวเอารูปมาให้ดู มีของแจกเท่ห์มากๆ

1. มาตินี่เรืองแสง
2. ตุ๊กตาอินเทล

การจะได้มาไม่ใช่ง่ายๆ ต้องต่อคิวยาวมาก แล้วยังต้องตอบคำถาม เนื่องจากต้องเฝ้าบูธเลยได้แค่ยลโฉมของชาวบ้าน พรุ่งนี้ค่อยไปลุ้นใหม่ มีรูปให้ดูนิดหน่อย ขออัพโหลดก่อน กดรัวยิกเลย

เพิ่มเติมครับ

ที่ผมเพิ่งเรียนมา ตามลักษณะของการเจือสารลงไปที่แผ่นซิลิกอนบัพเฟอร์
ถ้าเราใช้ Poly silicon จะมีความสามารถในการนำไฟฟ้าได้น้อยกว่า Metal ครับ

่เนื่องจากกว่า Poly silicon นั้นสามารถจัดเรียงได้ง่ายกว่า Metal
จึงสามารถจัดเรียงได้ในขนาดเล็กๆ ทำให้ซิพมีขนาดเล็กตามไปด้วยครับ
แต่ Poly สามารถนำไฟฟ้าได้น้อยกว่า Metal (โอมห์มาก กระแสมาก lossมาก)
จึงทำให้ซิพที่ใช้ Poly มีการสูญเสียทางกำลังมากกว่า Metal ครับ ทำให้เกิดความร้อนมากกว่า กินกระแสมากกว่า

แต่อินเทลสามารถสร้างเทคโนโลยีในการเจือ Metal แทน Poly จึงทำให้
เกิดความร้อนที่น้อยกว่า (เพราะ loss น้อยกว่า) กระแสรั่วน้อยกว่า จึงประหยัดพลังงานมากกว่าครับ และนำพาอิเล็กตรอนได้มากกว่า จึงทำให้ชิพมีความเร็วสูงขึ้นครับ

ปล.ถ้าผิดพลาดก็ขออภัยด้วยนะครับ เพราะผมกำัลังเรียนวิชา VLSI อยู่ครับ ยังไม่ได้เรียนทั้งหมด

จริงๆ เรื่องการใช้ polysilicon ทำเกทของทรานซิสเตอร์เป็นประเด็นรองในกรณีนี้นะครับ เพราะพลังงานศูนย์เสียที่เกิดขึ้นตรงนี้น้อยมาก ประเด็นหลักคือเรื่องชั้นฉนวนอย่างที่ p-joy กล่าวไว้ในคอมเม้นต์แรก เพราะความหมายของ high-k ตัว k ในที่นี้คือค่าคงที่ความเป็นฉนวน (dielectric constant) ซึ่ง SiO2 ที่รับใช้เราอย่างดีเยี่ยมมายาวนานได้มาถึงขีดจำกัดของมันที่ระดับความหนาประมาณ 5 อะตอม (ประมาณ 1nm) ทำให้เกิดกระแสรั่วไหลเกินจะยอมรับได้ จึงต้องมีการคิดค้นการประยุกต์ใช้วัสดุชนิดใหม่ที่มีความเป็นฉนวนที่ดีกว่า (อินเทลใช้ hafnium based oxide)

ทำไมปัจจุบันจึงนิยมใช้ polysilicon ทำเกททั้งที่มันนำไฟฟ้าแย่กว่าโลหะเกือบ 1,000 เท่า?

คำตอบคือการใช้ polysilicon มีข้อดีหลายข้อ ที่สำคัญคือ มันเป็นสารกึ่งตัวนำเช่นเดียวกับช่องทางเดินกระแส ทำให้ค่าแรงดันขีดเริ่ม (threshold voltage) ของทรานซิสเตอร์มีค่าต่ำ อีกทั้งการสร้างร่วมกับชั้นฉนวน SiO2 ยังทำได้มีประสิทธิภาพสูงกว่าการใช้โลหะ และที่พิเศษอีกอย่างคือมันสามารถทนต่อความร้อนสูงในกระบวนการผลิตได้ดี (ซึ่งถ้าใช้โลหะก็จะละลายไปซะก่อน) ช่วยให้กระบวนการผลิตง่ายลงมาก

อย่างไรก็ตามวัสดุ high-k ไม่ค่อยถูกโรคกับ polysilicon เท่าไหร่ ซึ่งปัญหานี้สามารถแก้ได้ง่ายๆ ด้วยการใช้ตัวนำที่ดีขึ้น นั่นก็คือโลหะนั่นเอง แต่ก็ต้องมีการปรับคุณสมบัติของโลหะด้วยเพื่อไม่ให้แรงดันขีดเริ่มสูงจนเกินไปอย่างที่เคยเป็นในอดีตครับ