ซัมซุงซึ่งได้ชื่อว่าเป็นหนึ่งในผู้ผลิตแรมสำหรับอุปกรณ์พกพาที่ใหญ่เจ้าหนึ่ง วันนี้ประกาศเดินหน้าสายการผลิตแรมตัวใหม่สำหรับใช้ในอุปกรณ์พกพาแล้ว
แรมดังกล่าวเป็นแรมประเภท LPDDR4 ใช้กระบวนการผลิตที่ 20nm ขนาด 8 Gb ซึ่งเร็วกว่าแรม LPDDR3 ที่ขนาด 4 Gb ถึงสองเท่า
แรมตัวใหม่นี้สามารถทำความจุเพิ่มขึ้นไปได้ถึง 4GB อีกด้วย นอกจากนี้ ซัมซุงยังอ้างอีกว่า แรมดังกล่าวนั้นเร็วกว่า DRAM ที่ใช้ในเซิร์ฟเวอร์และ PC ทั้งยังกินพลังงานน้อยกว่ามาก
ซัมซุงจะเริ่มส่งแรม LPDDR4 ขนาดความจุ 2GB และ 3GB ในเดือนนี้ และจะส่งขนาดความจุ 4GB ได้ในช่วงต้นปี 2015
เปิดตัวไปตั้งแต่งาน IDF 2011 จากความร่วมมือระหว่างอินเทล และ Micron Technology สำหรับหน่วยความจำประเภท DRAM ความเร็วสูงอย่าง Hybrid Memory Cube (HMC) ที่ประสิทธิภาพเหนือกว่าเทคโนโลยีในปัจจุบันหลายเท่า ซึ่งตอนนี้ Micron ออกมาประกาศแล้วว่าจะเริ่มผลิตหน่วยความจำประเภทนี้ และเริ่มส่งของได้ภายในต้นปีหน้าแล้ว
HMC เป็นหน่วยความจำตัวเลือกที่ทำมาเพื่อแข่งขันกับหน่วยความจำในปัจจุบันอย่าง DDR3 โดยเฉพาะ ความเหนือกว่าของ HMC คือการให้แบนด์วิธที่สูงกว่าถึง 15 เท่าตัว ในขณะที่มีอัตราการบริโภคพลังงานน้อยกว่าราว 70% เมื่อเทียบกับ DDR4 แล้วก็ยังให้แบนด์วิธสูงกว่าห้าเท่า และยังบริโภคพลังงานน้อยกว่า
ดูเหมือนยุคของหน่วยความจำแบบ DDR3 ยังไม่จบลงง่ายๆ เมื่อซัมซุงออกมาประกาศว่าเริ่มผลิตหน่วยความจำ DDR3 รุ่นใหม่ที่ใช้สถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตรแล้ว
นอกจากจะขยับลงมาผลิตในขนาดเล็กลงที่ 20 นาโนเมตรแล้ว หน่วยความจำรุ่นใหม่นี้ยังออกแบบใหม่โดยวางทรานซิสเตอร์แบบใหม่เป็นแผงคู่ และมีชั้นบางๆ ตรงกลางทำหน้าที่เป็นตัวเก็บประจุ ซึ่งเป็นแนวทางที่จะใช้กับหน่วยความจำในอนาคตที่ขนาดเล็กลงไปอีก การเปลี่ยนมาวางทรานซิสเตอร์แบบใหม่นี้ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของหน่วยความจำได้มากขึ้น (แต่ไม่ได้ระบุตัวเลขออกมา)
สำหรับการเปลี่ยนมาใช้การผลิตขนาด 20 นาโนเมตร ช่วยลดการใช้พลังงานจากขนาด 25 นาโนเมตรลงถึง 25% ด้วยกันครับ
Samsung Electronics ประกาศความสำเร็จในการผลิตชิปหน่วยความจำ low power double data rate 4 (LPDDR4) ขนาด 8 Gigabit (Gb นะครับไม่ใช่ GB) และเตรียมทำตลาดแรมชนิดนี้สำหรับอุปกรณ์พกพาในปีหน้า (ยังไม่ระบุกรอบเวลาชัดเจน)
ชิปแรมตัวใหม่นี้ใช้การผลิตขนาด 20 นาโนเมตร เมื่อชิปหนึ่งตัวมีขนาด 8 Gb (หรือ 1GB) ทำให้แรมหนึ่งแผงสามารถยัดชิป 4 ตัวเพื่อทำแรมขนาด 4GB ในแผ่นเดียวได้ (นั่นแปลว่าเราจะได้เห็นมือถือแรม 4GB ในเร็วๆ นี้)
ชิปแรมตัวนี้สามารถส่งข้อมูลได้ 3200 Mbps ต่อพินหนึ่งขา เร็วกว่าแรม LPDDR3 ในปัจจุบันเท่าตัว แต่ใช้พลังงานน้อยกว่ากันประมาณ 40%
ที่มา - Samsung Tomorrow
จากกรณี ไฟไหม้โรงงาน SK Hynix ในจีน กระทบชิปหน่วยความจำ 10% ของโลก ส่งผลให้ราคาชิปหน่วยความจำดีดตัวขึ้น 42% จากเดิม (คิดจากชิปหน่วยความจำ DDR3 ขนาด 2Gb) มาอยู่ที่ 2.27 ดอลลาร์ เทียบกับของเดิมที่มีราคา 1.60 ดอลลาร์ในวันที่ไฟไหม้
SK Hynix แก้ปัญหาเบื้องต้นโดยเร่งปริมาณการผลิตจากโรงงานที่เกาหลีใต้แทน ซึ่งนักวิเคราะห์จากเกาหลียังมองว่าราคาชิปหน่วยความจำน่าจะยังอยู่ในระดับสูงไปตลอดไตรมาสที่สี่ของปีนี้ หรือจนกว่าโรงงานของ Hynix จะกลับมาทำงานได้เต็มที่เหมือนเดิม (ซึ่ง Hynix บอกว่าประมาณเดือนพฤศจิกายน)
ผู้ที่ได้รับผลกระทบมากที่สุดคงหนีไม่พ้นผู้ผลิตสมาร์ทโฟน ที่ตลาดมักจะแข่งกันดุเดือดที่สุดในช่วงไตรมาสที่สี่ของปีเป็นปกติอยู่แล้ว
เมื่อวันพุธที่ผ่านมา โรงงานหน่วยความจำของบริษัท SK Hynix ที่เมืองอู๋ซี ในประเทศจีน เกิดไฟไหม้เสียหายหนักจนต้องหยุดสายการผลิต ถึงแม้จะไม่มีใครได้รับบาดเจ็บหรือเสียชีวิตก็ตาม
อย่างไรก็ตามไฟไหม้ครั้งนี้กลับสร้างผลสะเทือนต่อวงการหน่วยความจำของโลก เพราะ SK Hynix ถือเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่เป็นอันดับสองของโลก มีส่วนแบ่งตลาดประมาณ 30% และโรงงานแห่งนี้มีกำลังการผลิตประมาณครึ่งหนึ่งของ SK Hynix ทั้งบริษัท
คาดว่าไฟไหม้รอบนี้จะส่งผลต่อปริมาณซัพพลายของชิป DRAM ทั่วโลกประมาณ 10% และ SK Hynix เองก็เป็นผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ให้สินค้าของแอปเปิลด้วย
ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาแรม DDR4 มาได้สองปีกว่า ตอนนี้ซัมซุงเริ่มผลิตจำนวนมากเป็นที่เรียบร้อยแล้ว โดยจะเอามาจับกลุ่มองค์กรก่อน
แรม DDR4 ของซัมซุงจะผลิตบนสถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตร แต่ละโมดูลจุ 4Gb ซัมซุงเคลมว่าทำความเร็วได้สูงสุด 2,667Mbps เทียบกับแรม DDR3 แล้วประสิทธิภาพสูงกว่า 25% แต่กินพลังงานน้อยกว่า 30%
แรม DDR4 ชุดแรกที่ออกมาจะยังทำความเร็วได้ไม่สุด ซัมซุงเคลมว่าจะทำความเร็วได้ถึง 4,000Mbps ในอนาคตครับ
ที่มา - Engadget
หลังจากซัมซุงเริ่มผลิตหน่วยความจำ LPDDR3 2GB ไปเมื่อปลายปีก่อน จนตอนนี้อุปกรณ์พกพารุ่นท็อปพากันใช้แรม 2GB กันหมดแล้ว เมื่อเร็วๆ นี้ซัมซุงก็ประกาศความสำเร็จในการพัฒนา LPDDR3 4GB เป็นที่เรียบร้อยแล้ว
นอกจากความจุสูงสุดจะเพิ่มเป็น 4GB หน่วยความจำรุ่นใหม่นี้ยังขยับไปผลิตในสถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตร (จากรุ่นก่อนหน้า 30 นาโนเมตร) ตามสเปคที่ออกมาสามารถส่งข้อมูลด้วยความเร็ว 2,133 Mbps แม้ไม่ได้บอกแบนวิดท์มา แต่ก็ให้ตัวเลขประสิทธิภาพมาคร่าวๆ ว่าจะเหนือกว่า LPDDR2 30% ในขณะที่กินไฟน้อยราวๆ 20%
ซัมซุงบอกว่าหน่วยความจำรุ่นนี้จะเริ่มใช้ในอุปกรณ์ของตัวเองในอีกเดือนสองเดือนข้างหน้า ไม่แน่ว่าเราอาจจะเห็น Galaxy Note 3 ใช้ก็ได้ครับ
Toshiba พัฒนา STT-MRAM (spin transfer torque magnetoresistive RAM) ซึ่งจะช่วยประหยัดพลังงานได้ถึง 2 ใน 3
ระบบประมวลผลของอุปกรณ์พกพาโดยส่วนใหญ่มักทำงานควบคู่กับ SRAM (static RAM) ซึ่งถือเป็น RAM ที่มีความเร็วในการทำงานสูง แต่กินพลังงานไฟฟ้าเป็นอย่างมาก เนื่องจากต้องการพลังงานไฟฟ้าไปเลี้ยงอยู่ตลอดเวลาเพื่อรักษาข้อมูลไว้ในหน่วยความจำ ทั้งยังมีปัญหากระแสรั่วไหล โดยเฉพาะอย่างยิ่งเมื่อหน่วยประมวลผลได้รับการพัฒนาให้มีความเร็วสูงยิ่งขึ้น หน่วยความจำก็ยิ่งต้องทำงานเร็วขึ้นสอดคล้องกันไป ทำให้ยิ่งสิ้นเปลืองพลังงาน
แรมพีซีตอนนี้ที่เราใช้กันมักเป็นมาตรฐาน DDR3 (หรือยังมี DDR2 บ้างในโทรศัพท์มือถือ) และตอนนี้ JEDEC หน่วยงานออกมาตรฐานด้านเซมิคอนดักเตอร์ก็ออกมาตรฐาน JESD79-4 หรือมาตรฐาน DDR4 ให้ดาวน์โหลดแล้ว พร้อมเปิดเวิร์คชอปสำหรับนักพัฒนาปลายเดือนตุลาคมนี้
มาตรฐานช่วงเริ่มต้น จะรองรับการส่งข้อมูล 1.6 พันล้านครั้งต่อวินาทีเป็นขั้นต่ำ และ 3.2 พันล้านครั้งต่อวินาทีที่ความเร็วสูงสุด แต่ในมาตรฐาน DDR3 ที่ตอนออกมาตรฐานกำหนดความเร็วสูงสุด 1.6 พันล้านครั้งต่อวินาที ก็มีการออกชิปรุ่นใหม่ๆ ที่สัญญาณนาฬิกาสูงขึ้นจนทำความเร็วได้เกินมาตรฐาน ใน DDR4 ก็คาดว่าจะทำได้แบบเดียวกัน
แม้ว่ามาตรฐานแรมรุ่นถัดไปอย่าง DDR4 ยังไม่ได้ประกาศอย่างเป็นทางการ หลังจากที่ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาไปตั้งแต่ต้นปี 2011 แต่ตอนนี้ผู้ผลิตอย่าง Micron ได้พัฒนาแรม DDR4 ที่พร้อมสำหรับใช้งานจริงได้แล้ว และเริ่มส่งตัวอย่างไปยังคู่ค้าบางราย เพื่อเริ่มผลิตจำนวนมากในไตรมาสสุดท้ายของปีนี้แล้ว
มาตรฐาน DDR4 ของ Micron จะชิปขนาด 4Gb จำนวน 8-32 ชิ้นแล้วแต่รุ่น ซึ่งสามารถทำความเร็วส่งข้อมูลได้เริ่มต้นที่ 2400 MT/s และจะเพิ่มเป็น 3200 MT/s ในภายหลัง
ข่าวเก่าไปสักเล็กน้อยแต่ยังใช้ได้อยู่นะครับ
Samsung Electronics ประกาศแผนการผลิตแรมพลังงานต่ำสำหรับอุปกรณ์พกพารุ่นใหม่คือ LPDDR3 SDRAM โดยซัมซุงจะสามารถผลิตหน่วยความจำขนาด 4 Gb ที่ขนาด 30nm และกินไฟ 1.2V
ปัจจุบันแรมในมือถือใช้ LPDDR2 ที่มีอัตราการส่งข้อมูลสูงสุด 800Mbps ต่อหน่วย (terminal) และมีอัตราการส่งข้อมูลสูงสุดต่อชิปที่ 3.2Gbps ในขณะที่แรม LPDDR3 มีอัตราการส่งข้อมูลต่อ terminal มากกว่ากันเท่าตัวคือ 1.6Gbps โดยที่แรมทั้งสองชนิดกินไฟเท่ากัน
ซัมซุงบอกว่าแรมแบบใหม่ LPDDR3 จะกลายเป็นแรมมาตรฐานของมือถือในปีนี้
ข่าวลือจากสำนักข่าวรอยเตอร์ส อ้างว่าแอปเปิลได้เตรียมที่จะเข้าซื้อ Anobit บริษัทผลิตชิปหน่วยความจำแฟลชเมโมรี่จากประเทศอิสราเอลที่ราคาประมาณ 400 หรือ 500 ล้านดอลลาร์สหรัฐ
Anobit เป็นบริษัทที่เชี่ยวชาญในเรื่อง signal processing สำหรับชิปหน่วยความจำ ทำให้สามารถเพิ่มทั้งความจุและประสิทธิภาพของชิปเหล่านี้ได้ เทคโนโลยีนี้ได้ถูกนำมาใช้ในชิปหน่วยความจำจากซัมซุงและ Hynix ที่ถูกนำมาใช้ใน iPhone 4S อยู่แล้วในทุกวันนี้
นอกจากธุรกิจซีพียูแล้ว ธุรกิจที่สำคัญมากของอินเทลคือหน่วยความจำแบบแฟลชที่ใช้ในการ์ดแบบ CF, micro SD, รวมถึงดิสก์แบบ SSD ทั้งหลาย และวันนี้อินเทลก็ได้เปิดตัวชิปหน่วยความจำรุ่นใหม่ที่มีความจุสูงถึง 128Gb แล้ว โดยธุรกิจส่วนนี้อินเทลร่วมมือกับไมครอนในการพัฒนาในบริษัทที่ชื่อว่า IM Flash Technology (IMFT)
ชิปรุ่นใหม่นี้ใช้กระบวนการผลิตที่ 20 นาโนเมตร สามารถส่งข้อมูลได้ 333 ล้านครั้งต่อวินาที และ High-K metal gate ที่เป็นเทคนิคการผลิตเฉพาะของอินเทล
เทคโนโลยีใหม่นี้จะเริ่มเดินสายการผลิตตัวอย่างในต้นปี 2012 ส่วนระหว่างนี้อินเทลประกาศจะเดินหน้าสายการผลิตชิป 64Gb เป็นปริมาณมาก
เอเอ็มดีช่วงหลังแม้จะมีชิปเซ็ต, GPU, และซีพียู เป็นของตัวเองแล้วแต่สิ่งหนึ่งที่ขาดอยู่คือแรมที่ยังต้องอาศัยแบรนด์อื่นๆ อยู่ ล่าสุดเว็บของเอเอ็มดีก็ปรากฏสินค้า AMD Radeon™ Memory for Systems เป็น DIMM สำหรับเครื่องเดสก์ทอปและเซิร์ฟเวอร์ปรากฏขึ้นมาโดยไม่มีการประกาศล่วงหน้า
เอเอ็มดีระบุว่าแรมของเอเอ็มดีเองจะออกแบบมาสำหรับแพลตฟอร์มของตัวเองโดยเฉพาะ โดยแบ่งสินค้าออกเป็นสามตระกูลคือ Entertainment, ULTRA PRO Gaming, และ Enterprise ในหน้าสินค้าตอนนี้มีเฉพาะรุ่น 2GB เท่านั้น
ยังไม่ประกาศราคาแต่ตอนนี้คนสนใจยี่ห้อแรมกันเยอะพอให้เอเอ็มดีต้องลงมาสู้ในตลาดนี้เองเลยหรือ?
ที่มา - AMD
ซัมซุงประกาศวานนี้ว่าบริษัทได้เข้าซื้อบริษัท Grandis ซึ่งเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำแบบถ่ายโอนแรงบิด (STT-Spin Transfer Torque RAM หรือ STT-RAM) โดยบริษัท Grandis จะเข้าไปรวมอยู่กับฝ่ายวิจัยและพัฒนาของซัมซุงด้านหน่วยความจำต่อไป
Grandis เป็นบริษัทที่มีสิทธิบัตรด้านหน่วยความจำแบบ STT-RAM อยู่ในมือหลายตัว และเทคโนโลยี STT นี้ก็น่าจะเป็นอนาคตในการพัฒนาขีดความสามารถของหน่วยความจำให้สูงขึ้นไปได้ ทำให้ซัมซุงซึ่งเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ต้องการสิทธิบัตรดังกล่าวเพื่อสร้างโอกาสในธุรกิจต่อไป
ที่มา: BGR
จากเหตุการณ์แผ่นดินไหวที่ประเทศญี่ปุ่นเมื่อวานนี้ ทำให้เกิดความกังวลถึงปริมาณอุปทานของสินค้าหลายอย่างซึ่งมีฐานการผลิตหลักในญี่ปุ่น ซึ่งชิปหน่วยความจำก็เป็นหนึ่งในนั้น โดยเฉพาะสินค้าอย่างหน่วยความจำแฟลชแบบ NAND ซึ่งเป็นหัวใจสำคัญในโทรศัพท์มือถือและแท็บเล็ต ซึ่งปัจจุบันบริษัท Toshiba ซึ่งพาร์ทเนอร์การผลิตร่วมกับ SanDisk มีส่วนแบ่งการตลาดของหน่วยความจำแฟลชถึง 35%
โฆษกของ Toshiba กล่าวว่าบริษัทกำลังตรวจสอบความเสียหายของโรงงานต่างๆอยู่ บางโรงงานมีปัญหาเรื่องระบบไฟฟ้า แต่ส่วนใหญ่สามารถเริ่มการผลิตได้ตามปกติแล้ว ส่วนที่น่ากังวลมากกว่าคือปัญหาการขนส่งสินค้าเนื่องจากทุกเส้นทางทั้งทางบก ทางน้ำ ทางอากาศล้วนได้รับความเสียหาย
ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาแรมแบบ DDR4 DRAM ซึ่งมีข้อดีเหนือกว่า DDR3 ทั้งในเรื่องพลังงานและอัตราการส่งข้อมูล
ในการผลิตที่ 30 นาโนเมตรเท่ากัน โมดูลของแรม DDR3 ส่งข้อมูลได้สูงสุด 1.6Gbps โดยกินไฟ 1.35-1.5V ส่วนโมดูลแรม DDR4 ส่งข้อมูลได้สูงสุด 2.133Gbps แต่ใช้ไฟเพียง 1.2V ซึ่งในการใช้งานจริงบนโน้ตบุ๊กจะลดพลังงานลงได้ 40%
เทคโนโลยีที่ใช้ผลิตคือ Pseudo Open Drain (POD) ที่ลดกระแสไฟฟ้าลงครึ่งหนึ่งจากเดิม ตัวแรม DDR4 ที่ประกอบโมดูลเข้าด้วยกันแล้วจะส่งข้อมูลได้ 3.2Gbps ซัมซุงจะร่วมกับผู้ผลิตฮาร์ดแวร์เซิร์ฟเวอร์ออกมาตรฐานของแรม DDR4 ในครึ่งหลังของปีนี้
SanDisk วางขาย Xbox 360 ยูเอสบีแฟลชไดร์ฟที่ได้ไลเซนส์มาจากไมโครซอฟท์แล้ว สามารถใช้บันทึกข้อมูลจากคอนโซลหนึ่งไปอีกคอนโซลหนึ่งได้ อาทิ ข้อมูลการเล่นเกม, gamertags, map packs เป็นต้น สนนราคา 8GB ที่ 34.99 ดอลลาร์สหรัฐ (ราว 1,300 บาท) และ 16GB ที่ 69.99 ดอลลาร์สหรัฐ (ราว 2,300 บาท) นอกจากนั้น SanDisk ยังแถม Xbox LIVE Gold เป็นเวลา 1 เดือนให้กับผู้ซื้อแฟลชไดร์ฟทั้งสองรุ่นอีกด้วย หน้าตาเป็นอย่างไรดูได้จากท้ายข่าว
ที่มา: Engadget
ซัมซุงเตรียมเปิดโรงงานผลิตชิป NAND Flash ขนาดจิ๋วเพียง 20 nm โดยมันจะถูกรวมอยู่ใน SD card และพวกหน่วยความจำต่างๆ ซัมซุงยังกล่าวว่า NAND Flash ขนาดจิ๋วเขียนและรับข้อมูลได้รวดเร็วมาก
NAND Flash ขนาดจิ๋ว 20 nm ให้ความเร็วของการทำงานเพิ่มขึ้น 50% จากรุ่นก่อน (30 nm) โดยจะเขียนข้อมูลที่ความเร็ว 10MB/s และอ่านข้อมูลที่ 20MB/s โดยจะฝังอยู่ในหน่วยความจำขนาดตั้งแต่ 4GB - 64GB
ที่มา - SamsungHUB
ปัญหาสำคัญของคอมพิวเตอร์แบบซีพียูหลายคอร์นั้นคือการเข้าถึงหน่วยความจำที่เป็นคอขวดของระบบเสมอๆ วันนี้ทาง Rambus ผู้พัฒนา RDRAM ที่เคยใช้ในเมนบอร์ดของอินเทลและ XDR DRAM ที่ใช้ใน PS3 นั้นก็ประกาศเทคโนโลยีใหม่คือ Threaded Memory
ทาง Rambus อ้างว่าเทคโนโลยีนี้จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการส่งข้อมูลได้มากถึงร้อยละ 50 ขณะที่ลดการใช้พลังงานลงร้อยละ 20
ยังไม่มีรายละเอียดเชิงเทคนิคว่าทาง Rambus ใช้เทคนิคอะไรในการเพิ่มความเร็วนี้ แต่ที่มีการเปิดเผยออกมาคือ Threaded Memory นั้นสามารถใช้กับหน่วยความจำแบบ DDR3 ที่มีราคาไม่แพงนักได้ และระบบหน่วยความจำจะรองรับการส่งข้อมูลครั้งละ 64 ไบต์ มากกว่าหน่วยความจำทั่วไปในปัจจุบันถึง 8 เท่า ที่รองรับเพียง 64 บิต หรือ 8 ไบต์เท่านั้น
แม้ว่า DDR3 จะยังดูไกลเกินเอื้อมสำหรับเราหลายๆ คน แต่วันนี้เองทางซัมซุงก็ออกโมดูลแรม DDR3 ขนาด 32 กิกะไบต์ มาให้เราฝันถึงกันแล้ว โดยแรมรุ่นใหม่นี้ผลิตด้วยเทคโนโลยี 50 นาโนเมตร และทำงานที่ความต่างศักย์ 1.35 โวลต์ ต่ำกว่าโมดูลปรกติที่ใช้ไฟ 1.5 โวลต์ทำให้ปรัะหยัดพลังงานกว่า และทางซัมซุงยังอ้างว่าช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้สูงขึ้นไปด้วย
ถ้าใครซื้อมาซัก 6 แถวใส่กับบอร์ด i7 แล้วช่วยส่งผล Benchmark มาให้เพื่อนๆ กันบ้างนะครับ
ที่มา - I4U
SDXC (SD eXtended Capacity) ที่จะใช้ exFAT ของ Microsoft สามารถสร้างการ์ดตามทฤษฎีให้มีขนาดได้ถึง 2TB ไม่ใช่ 2GB นะครับ และด้วยความจุนี้สามารถจุ 100 ภาพยนตร์ความละเอียดสูง 100 เรื่อง, ใช้บันทึกภาพยนตร์ความละเอียดสูงจากกล้องเป็นระยะเวลา 60 ชั่วโมง และถ่ายโอนข้อมูลด้วยความเร็ว300MBps แผนการวางขายความว่าน่าจะอยู่ในช่วงเดือนมีนาคม และแน่นอนว่าวันแรกที่วางขายย่อมมีขนาดน้อยกว่า 2TB
ที่มา - Engadget
SanDisk ผู้ผลิตการ์ดหน่วยความจำรายใหญ่ประกาศนำการ์ดหน่วยความจำสำหรับเครื่องโทรศัพท์เคลื่อนที่ออกจำหน่ายแล้วในชื่อรุ่น Mobile Ultra microSDHC และ Memory Stick Micro (M2) ที่มีขนาดความจุของหน่วยความจำสูงถึง 16 กิกะไบต์ (GB) ซึ่งกล่าวอ้างว่าเป็นอุปกรณ์หน่วยความจำแบบถอดออกได้ ที่มีขนาดความจุมากที่สุดในโลก
และเพื่อเพิ่มความสะดวกในการใช้งาน ตัวการ์ดดังกล่าวจะจำหน่ายพร้อมกับ MobileMate Micro Reader ที่สามารถเสียบเข้ากับพอร์ต USB 2.0-compatible ได้โดยตรง
บริษัทตั้งราคาจำหน่ายของการ์ด Mobile Ultra microSDHC และ Memory Stick Micro (M2) ขนาด 16GB นี้ไว้ที่ 119.99 และ 129.99 เหรียญสหรัฐ ตามลำดับ
คาดกันว่าในอนาคต คอมพิวเตอร์จะมีขนาดเล็กลงเรื่อยๆ รวมทั้งเครื่องพกพาต่างๆ ตั้งแต่เครื่องโทรศัพท์มือถือ และกล้องถ่ายภาพ ไปจนถึงเครื่องเล่นเพลงและเครื่อง laptops จะมีสมรรถนะที่ดีขึ้น อันเป็นผลจากการแข่งขันกันพัฒนาหน่วยความจำ (memory) ที่สามารถสนองตอบความต้องการและความพึงพอใจที่ต้องการหน่วยความจำจัดเก็บข้อมูลที่มีขนาดเล็กลง
นักวิจัยที่มหาวิทยาลัยน็อตติงแฮม กำลังหาช่องทางใช้ประโยชน์จากคุณสมบัติของ “ท่อนาโนคาร์บอน” (carbon nanotube) เพื่อประดิษฐ์เซ็ลหน่วยความจำที่มีราคาถูกและเล็กกะทัดรัดโดยใช้กำลังไฟต่ำและมีความเร็วในการจัดเก็บข้อมูลสูง