Lenovo เปิดตัวโน้ตบุ๊กเวิร์คสเตชันรุ่นใหม่ ThinkPad P1 Gen 7 ที่ยังคงคอนเซปต์การเป็นโน้ตบุ๊กหน้าจอ 16" แต่มีการ์ดจอเกรดเวิร์คสเตชันมาให้

สเปกหลักๆ ของเครื่องเป็นการอัพเกรดตามรอบปกติ ซีพียูเป็น Core Ultra vPro สูงสุด Core Ultra 9 185H, จีพียูมี Intel Arc ออนบอร์ด พ่วงด้วย GeForce RTX 4060/4070 หรือจะใช้ RTX 1000/2000/3000 Ada Generation ก็ได้, แรมสูงสุด 64GB, สตอเรจสูงสุด 8TB

นาซ่ารายงานความคืบหน้าของปัญหาคอมพิวเตอร์บนยาน Voyager 1 ค้าง ซึ่งพบว่าสาเหตุน่าจะเกิดจากแรมบางส่วนเสียหาย โดยล่าสุดยานสามารถส่งข้อมูลที่ใช้งานได้กลับมาแล้ว เป็นข้อมูลสถานะของระบบวิศวกรรมในยาน

ปัญหาคอมพิวเตอร์ในยาน Voyager 1 หยุดส่งข้อมูลที่ใช้งานได้กลับมาโลกเกิดขึ้นตั้งแต่วันที่ 14 พฤศจิกายน 2023 โดยส่วนควบคุมอื่นยังสามารถรับคำสั่งและทำงานได้ตามปกติ ซึ่งต่อมาทีมวิศวกรของ Jet Propulsion Laboratory (JPL) ประเมินว่าแรมของคอมพิวเตอร์ 1 ใน 3 เครื่อง ที่เป็นของ flight data subsystem (FDS) สำหรับรวบรวมจัดส่งข้อมูลวิทยาศาสตร์และวิศวกรรมกลับมายังโลก เกิดปัญหา

SK Hynix ผู้ผลิตแรมรายใหญ่ประกาศร่วมมือกับ TSMC พัฒนากระบวนการผลิตแรม HBM4 รุ่นต่อไป โดยคาดว่าจะผลิตจำนวนมากได้ในปี 2026 จากเดิมที่ SK Hynix ใช้เทคโนโลยีของตัวเองผลิตแรม HBM มาเสมอ

ความร่วมมือครั้งนี้เป็นความร่วมมือบางส่่วน โดยแรม HBM นั้นประกอบไปด้วยชิปหลายตัว ตัว DRAM จริงๆ ซ้อนกันอยู่หลายๆ แผ่นเพื่อให้ได้แบนวิดท์สูง แล้วเชื่อมกับแผ่น base die ที่อยู่ล่างสุดเพื่อควบคุมการทำงานแรมและเชื่อมต่อกับชิปภายนอกเช่นชิปกราฟิก การประกาศครั้งนี้ SK Hynix จะใช้เทคโนโลยี base die ของ TSMC เพื่อให้สามารถแพ็กแรมได้เพิ่มขึ้น

แรม HBM กลายเป็นส่วนประกอบสำคัญของวงการ AI ในปีที่ผ่านมา และเป็นคอขวดหนึ่งในการส่งมอบเซิร์ฟเวอร์ฝึก AI ประสิทธิภาพสูง

ซัมซุงเปิดตัวแรม LPDDR5X รุ่นแบนด์วิดท์สูงเป็นพิเศษ 10.7 Gbps สูงกว่า LPDDR5X รุ่นแรกที่ออกในปี 2021 มีแบนด์วิดท์ 8.5 Gbps (เพิ่มขึ้น 25%) และสูงกว่าคู่แข่ง LPDDR5T ของ SK hynix ที่ทำได้ 9.6 Gbps

ซัมซุงบอกว่าแรมรุ่นนี้จะนำไปใช้งานด้าน AI ทั้งบนมือถือ พีซี เซิร์ฟเวอร์ การ์ดประมวลผล (accelerator) และรถยนต์ ใช้กระบวนการผลิตระดับ 12nm ตอบโจทย์ทั้งการใช้พลังงานและขนาดของชิปแรม สินค้าจะเริ่มผลิตเป็นจำนวนมากในช่วงครึ่งหลังของปีนี้

ที่มา - Samsung

ประเด็นเรื่อง MacBook Pro/Air M3 ให้แรมเริ่มต้นแค่ 8GB ยังเป็นเรื่องที่แอปเปิลถูกวิจารณ์ อยู่เรื่อยๆ ล่าสุดผู้บริหารแอปเปิลสองคนคือ Kate Bergeron หัวหน้าฝ่ายวิศวกรรมฮาร์ดแวร์ และ Evan Buyze ผู้บริหารฝ่ายการตลาดแมค ให้สัมภาษณ์กับสื่อจีน ITHome ก็ยังโดนถามเรื่องนี้อีกว่าแรม 8GB บน MacBook Air นั้นพอใช้ไหม

คำตอบของ Buyze คือแรม 8GB เพียงพอสำหรับงานทั่วไป อย่างเช่นการท่องเน็ต ชมภาพยนตร์สตรีมมิ่ง ส่งข้อความ แต่งภาพหรือวิดีโอง่ายๆ แล้ว

ทีมงาน Jet Propulsion Laboratory รายงานถึงความคืบหน้าของการแก้ปัญหาคอมพิวเตอร์ในยาน Voyager 1 ค้้างตั้งแต่ปลายปี 2023 โดยล่าสุดสามารถดัมพ์หน่วยความจำออกมาได้ และเมื่อวิเคราะห์ข้อมูลแล้วทีมงานสงสัยว่าเกิดจากแรมบางส่วนของ flight data subsystem (FDS) เสียหาย

หน่วยความจำส่วนที่เสียหายกินพื้นที่ 3% ของหน่วยความจำทั้งหมด โดยคาดว่าแรมเสียเพราะถูกอนุภาคในอวกาศชน หรือไม่ก็แค่แรมเสียตามอายุขัย 46 ปี

กระบวนการซ่อมอาจจะใช้เวลาอีกหลายสัปดาห์หรือหลายเดือน แต่ทีมงานค่อนข้างเชื่อว่าจะซ่อมได้ในที่สุดและคอมพิวเตอร์จะกลับมาทำงานได้

ซัมซุงเปิดตัว "กล่องแรม" Memory Module Box ที่สามารถใส่แรมความเร็วสูง HBM3E ได้สูงสุด 2TB ต่อกล่อง แบนด์วิดท์รวม 60 GBps มีความหน่วงต่ำ 596 nanosecond เหมาะสำหรับงานประมวลผลที่ต้องใช้แรมมากๆ เช่น AI, ฐานข้อมูลในหน่วยความจำ (in-memory database) และงานวิเคราะห์ข้อมูล

กล่องแรมของซัมซุงจะเชื่อมต่อกับหน่วยประมวลผลหลักของเซิร์ฟเวอร์ผ่านบัสแบบใหม่ Compute Express Link (CXL) ที่อินเทลและกลุ่มบริษัทไอทีจำนวนหนึ่งเริ่มผลักดันมาได้สักระยะ โดยบัส CXL ออกแบบมาเพื่อแข่งกับ NVLink ของ NVIDIA และ CCIX ของฝั่ง AMD

Kye-Hyun Kyung ซีอีโอร่วมของซัมซุง เปิดเผยว่าธุรกิจแพ็กเกจจิ้งชิปจะมีรายได้ในปีนี้มากกว่า 100 ล้านดอลลาร์ ซึ่งส่วนธุรกิจแพ็กเกจจิ้งชิปนี้ ซัมซุงได้จัดตั้งแยกออกมาเมื่อปีที่แล้ว และคาดว่าจะทำให้กำไรภาพรวมของซัมซุงเพิ่มขึ้นด้วย

ปัจจุบันชิป DRAM เป็นธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์ที่โดดเด่นของซัมซุง มีส่วนแบ่งการตลาดทั่วโลกถึง 45% ซึ่งทำให้ซัมซุงต้องรักษาความแข็งแกร่งนี้ด้วยการผลิตชิปหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง (HBM) รองรับงาน AI โดยเวอร์ชันล่าสุดสามารถซ้อนชิปหน่วยความจำได้ถึง 12 ชั้น เรียกชื่อว่า HBM3E และเตรียมออกรุ่นใหม่ HBM4 ที่แบนด์วิดท์มากขึ้นอีกในปี 2025

ปีนี้ไมโครซอฟท์พยายามผลักดันให้เป็นปีของ AI PC ซึ่งก็มาพร้อมกับสเป็กฮาร์ดแวร์ที่สูงขึ้นด้วย โดยมีข้อมูลที่ยังไม่เป็นทางการ ว่าไมโครซอฟท์ระบุสเป็กฮาร์ดแวร์ขั้นต่ำสำหรับการเป็น AI PC คือมีแรม 16GB เป็นอย่างน้อย

อย่างไรก็ตามนั่นคือสเป็กฮาร์ดแวร์เงื่อนไขเดียวที่ปรับเพิ่มขึ้นซึ่งมีข้อมูลออกมาตอนนี้ แต่น่าจะมีฮาร์ดแวร์ส่วนอื่นที่ปรับเงื่อนไขเพิ่มเช่นกัน โดยไมโครซอฟท์ตั้งเกณฑ์ว่ากำลังประมวลผลควรได้อย่างน้อย 40 TOPS จึงอาจมีรายละเอียดส่วน CPU, GPU และ NPU ด้วยเช่นกัน

ก่อนหน้านี้ไมโครซอฟท์ประกาศแผนผลักดัน AI PC โดยเพิ่มปุ่ม Copilot บนคีย์บอร์ดสำหรับเรียกใช้ฟังก์ชัน AI ใน Windows ได้โดยตรง

MSI เตรียมรองรับแรมแบบโมดูลละ 64 GB ทำให้เมนบอร์ดพีซีสามารถใส่แรมได้สูงสุดถึง 256GB สำหรับเมนบอร์ดที่มีสล็อตแรม 4 สล็อต

ตอนนี้แรมพีซีแบบ 64GB ทาง Kingston ผลิตออกมาเป็นรุ่น Fury Renegade DDR5 อาศัยชิปแรมของ Micron แต่หากจะไปซื้อมาใช้งานจริงๆ ต้องรอทาง MSI อัพเดตไบออสกันเสียก่อน ตอนนี้ยังไม่มีรายชื่อรุ่นเมนบอร์ดที่จะรองรับ อย่างไรก็ดีทาง MSI โชว์ภาพหน้าจอของ AMD Ryzen 9 7900X คู่กับเมนบอร์ด PRO X670-P ที่ตอนนี้สเปคระบุว่ารองรับแรม 128GB

ที่มา - MSI

Mark Brand จาก Project Zero เล่าถึงฟีเจอร์ลับของ Pixel 8/Pixel 8 Pro ว่าเป็นโทรศัพท์ตัวแรกที่สามารถเปิดฟีเจอร์ Memory Tagging Extensions ฟีเจอร์ป้องกันบั๊กหน่วยความจำหลายรูปแบบ เช่น ทำให้โปรแกรมไม่สามารถใช้หน่วยความจำที่เคยคืนระบบไปแล้ว (user-after-free)

แม้จะบอกว่าเปิดใช้งานได้ แต่ก็ต้องนับว่าเป็นฟีเจอร์ลับพอสมควร เพราะผู้ที่ต้องการใช้งานต้องเปิด USB debugging เพื่อไปตั้งค่าฟีเจอร์นี้ในเคอร์เนลเอง และฟีเจอร์นี้ไม่ได้ซัพพอร์ตเป็นทางการ ข้อจำกัดอีกอย่างคือมีบางส่วนในระบบไม่สามารถใช้ฟีเจอร์นี้ได้เพราะคอนฟิก exclusion ไว้ หรือบางโปรแกรม เช่น Chrome นั้นมีระบบจัดการหน่วยความจำ PartitionAlloc ของตัวเองทำให้ไม่สามารถใช้งานฟีเจอร์นี้ได้

ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาแรม Graphics Double Data Rate 7 (GDDR7) ที่เป็นรุ่นต่อจากแรม GDDR6 ในปัจจุบัน

แรม GDDR7 จะเพิ่มแบนด์วิดท์การส่งข้อมูลเป็น 1.5 TBps เพิ่มจาก GDDR6 ที่ทำได้ 1.1 TBps โดยใช้เทคนิคการส่งสัญญาณแบบใหม่ Pulse Amplitude Modulation (PAM3) แทนเทคนิค Non Return to Zero (NRZ) ของเดิม ส่งข้อมูลได้มากขึ้น 50% ในรอบการส่งสัญญาเท่ากัน

ของใหม่อย่างอื่นใน GDDR7 คือประหยัดพลังงานขึ้นจากเดิม 20%, การทำงานในโหมด low-operating voltage สำหรับการใช้งานในโน้ตบุ๊ก, การระบายความร้อนด้วยวัสดุ epoxy molding compound (EMC) ที่ระดับของแพ็กเกจจิ้ง ช่วยลดการทนความร้อน (thermal resistance) ได้ดีกว่าเดิม 70%

แรม GDDR7 จะเริ่มส่งให้ลูกค้ารายสำคัญๆ ทดสอบกันภายในปีนี้

รัฐบาลจีนสั่งแบนการขายสินค้าของ Micron ด้วยเหตุผลเรื่องความมั่นคง หลังเริ่มเข้าตรวจสอบ Micron มาตั้งแต่เดือนเมษายน

หน่วยงานที่รับผิดชอบเรื่องนี้คือ Cyberspace Administration of China (CAC) ระบุว่าผลการตรวจสอบพบว่าหน่วยความจำของ Micron มีช่องโหว่ความปลอดภัยร้ายแรง เป็นอันตรายต่อความมั่นคงทางโครงสร้างพื้นฐานไอทีของประเทศจีน แต่ไม่ได้ให้ข้อมูลรายละเอียดว่าช่องโหว่นี้คืออะไร

ตามสไตล์หน่วยงานจีนที่ไม่บอกรายละเอียดของการแบน จึงคาดกันว่าการแบน Micron ครั้งนี้น่าจะเป็นมาตรการตอบโต้สหรัฐแบน YMTC บริษัทหน่วยความจำของจีน

SK hynix เปิดตัวแรมรุ่นใหม่สำหรับสมาร์ทโฟน LPDDR5T ที่แรงขึ้นจากแรม LPDDR5X รุ่นล่าสุดในปัจจุบันอีก 13%

LPDDR5T ย่อมาจาก Low Power Double Data Rate 5 Turbo เป็นแรมที่ต่อยอดจาก LPDDR5X โดยเพิ่มอัตราการส่งข้อมูลเป็น 9.6 Gbps หรือเพิ่มขึ้น 13% จาก 8.5 Gbps ของแรมรุ่นเดิม และน่าจะเป็นการอัพเกรดครั้งสุดท้ายก่อนขึ้นเลขใหม่เป็น LPDDR6 ในอนาคตต่อไป

จุดที่น่าสนใจคือ LPDDR5T เป็นสเปกที่ SK hynix พัฒนาขึ้นเอง ไม่ได้อิงกับมาตรฐานแรมของ JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) แต่ SK hynix ก็บอกว่าจะผลักดันให้เป็นมาตรฐานของ JEDEC ด้วย

กระทรวงพาณิชย์ของสหรัฐ เพิ่มบริษัทจีนอีก 36 แห่งในรายการควบคุม Entity List มีผลเรื่องจำกัดการทำการค้าระหว่างบริษัทสัญชาติสหรัฐกับบริษัทเหล่านี้ โดยให้เหตุผลว่าเป็นบริษัทที่เกี่ยวข้องกับกองทัพจีน

บริษัทสำคัญที่อยู่ในรายชื่อรอบนี้คือ Yangtze Memory Technologies หรือ YMTC บริษัทผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ที่สุดของจีน (แบรนด์ในเครือคือ Zhitai) ซึ่งเป็นบริษัทที่ถูกรัฐบาลสหรัฐเพ่งเล็ง มาก่อนหน้านี้แล้ว

หลังจากมีสัญญาณว่าไปไม่รอดมาสักพักใหญ่ๆ แล้ว อินเทลก็ประกาศอย่างเป็นทางการว่ายุติธุรกิจหน่วยความจำ Optane ในงานแถลงผลประกอบการไตรมาสล่าสุด

Optane เป็นโครงการที่อินเทลร่วมกับ Micron ตั้งแต่ปี 2015 พัฒนาหน่วยความจำประเภท 3D XPoint ที่เร็วกว่าหน่วยความจำ NAND และใช้เป็นสตอเรจคั่นกลางระหว่างแรมกับ SSD แต่สุดท้ายก็ไปไม่รอด อินเทลหยุดขายสินค้าในปี 2021 ในขณะที่ Micron ขายโรงงานทิ้ง

อินเทลระบุสั้นๆ แค่ว่าจะยุติธุรกิจนี้ และลงบัญชีด้อยค่าสินทรัพย์สินค้ากลุ่ม Optane ที่เหลือเป็นมูลค่า 559 ล้านดอลลาร์

ผู้ใช้ทวิตเตอร์ @Emerald_x86 โพสต์ภาพโน้ตบุ๊กธุรกิจ Dell Precision 7670 รุ่นใหม่ของ Dell ที่ใช้สล็อตแรม DDR5 แบบใหม่เรียกว่า Compression Attached Memory Module (CAMM) ที่ Dell ออกแบบเอง

จุดเด่นของสล็อตแบบ CAMM เทียบกับสล็อต SO-DIMM ที่ใช้เป็นมาตรฐานแรมโน้ตบุ๊กในปัจจุบัน คือใช้พื้นที่ภายในเครื่องน้อยลง ชิปแรมถูกฝังมาข้างเดียวกันทั้งหมด (แรมปัจจุบันมีฝังสองด้าน) ช่วยให้ตัวเครื่องบางลง และเป็นทางเลือกที่ดีขึ้นเมื่อเทียบกับแรมแบบเชื่อมบนบอร์ดมาเลย

โรงงาน Kioxia (Toshiba เก่า) และ Western Digital ในเมือง Yokkaichi และ Kiakami ประเทศญี่ปุ่น พบปัญหาชิปความจำ 3D NAND ปนเปื้อนที่ยังไม่มีการชี้แจงสาเหตุจากบริษัท จนเสียหายกว่า 6.5EB (1EB = 1 ล้าน TB หรือ 1 พันล้าน GB) และต้องหยุดการผลิตชั่วคราว

บริษัทวิจัยตลาด TrendForce คาดว่าเหตุปนเปื้อนนี้อาจทำให้ราคาชิป 3D NAND สูงขึ้น 5-10% ทำให้อุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำ เช่น SSD ที่ใช้ชิป 3D NAND เป็นส่วนประกอบ มีราคาสูงขึ้นในไตรมาสที่สองของปีนี้

อินเทลประกาศความคืบหน้าการขายธุรกิจ NAND และ SSD ให้กับ SK hynix ที่ประกาศไว้เมื่อปี 2020 ว่าเสร็จสิ้นกระบวนการขั้นแรกแล้ว

สิ่งที่เกิดขึ้นคือ อินเทลขายธุรกิจ SSD และโรงงานผลิตชิปหน่วยความจำ NAND ที่เมืองต้าเหลียน ประเทศจีน ให้กับ SK hynix ในราคา 7 พันล้านดอลลาร์ โดยอินเทลจะยังใช้บริการผลิต NAND ที่โรงงานแห่งนี้ต่อไป ส่วนธุรกิจ SSD จะกลายเป็นบริษัทใหม่ชื่อ Solidigm (ย่อมาจาก solid-state + paradigm) มีสถานะเป็นบริษัทลูกของ SK hynix และ Robery Crooke หัวหน้าฝ่ายหน่วยความจำของอินเทลจะขึ้นเป็นซีอีโอของบริษัทแห่งนี้

หลัง Intel เตรียมออกซีพียู Intel Core 12th Gen เมนบอร์ดรุ่นใหม่ที่เตรียมรองรับซีพียูเจ็นใหม่นี้ เริ่มมาพร้อมกับการรองรับแรมแบบ DDR5 แล้ว แต่ปัญหาคือชิ้นส่วนบางอย่างของแรม DDR5 เช่น วงจรจัดการพลังงาน (power management IC) และโมดูลคุมแรงดันไฟฟ้า (voltage regulating module) ที่ไปรวมอยู่บนแรม DDR5 เริ่มหายากขึ้น ทำให้แรมอาจจะมีราคาแพงขึ้น และหาซื้อได้ยากอีกครั้ง

Reuters รายงานว่าสงครามการค้าระหว่างสหรัฐและจีน บวกกับปัญหาชิปขาดตลาดทั่วโลก ส่งผลสะเทือนต่อโรงงานผลิตชิปในประเทศจีน ไม่สามารถเข้าถึงเทคโนโลยีการผลิตบางอย่างได้แล้ว

บริษัทในข่าวคือ SK Hynix บริษัทผลิตหน่วยความจำรายใหญ่จากเกาหลีใต้ ที่มีโรงงานอยู่ที่เมืองอู๋ซี (Wuxi) ประเทศจีน ไม่สามารถซื้อเครื่อง extreme ultraviolet lithography (EUV) จากบริษัทเนเธอร์แลนด์ ASML เพื่อใช้ในการผลิตชิปที่ขนาดเล็กมากๆ ได้มาหลายปีแล้ว

การโจมตีแรมแบบ Rowhammer เป็นช่องโหว่ที่ทีม Project Zero ของกูเกิลสาธิตมาตั้งแต่ปี 2015 โดยอาศัยการเปลี่ยนค่าในหน่วยความจำซ้ำๆ จนกระทั่งหน่วยความจำแถว "ข้างๆ" นั้นเปลี่ยนค่าไปด้วย และหลังมีรายงานออกมาผู้ผลิตแรมก็พยายามเพิ่มกระบวนการป้องกันการเปลี่ยนข้อมูลเช่นนี้ ล่าสุดทีมวิจัย COMSEC จากมหาวิทยาลัย ETH Zürich ก็ประสบความสำเร็จในการโจมตีแบบ Blacksmith ที่พัฒนาเทคนิคต่อจาก Rowhammer จนเปลี่ยนค่าในแรมได้แทบทุกยี่ห้อในตลาด

Samsung เปิดตัว DRAM ชนิด Low Power Double Data Rate 5X หรือ LPDDR5X แบบ 16Gb เป็นครั้งแรกของวงการชิปความจำ ผลิตด้วยกระบวนการขนาด 14 นาโนเมตร (nm) และออกแบบมาเพื่อใช้งานกับการทำงานที่ต้องใช้หน่วยความจำความเร็วสูง เช่นการทำงานกับข้อมูลที่ส่งผ่าน 5G การทำงานกับปัญญาประดิษฐ์, AR และ metaverse

แรม LPDDR5X ของ Samsung ใส่แรมได้สูงสุด 64GB ต่อหนึ่งแพ็กเกจหน่วยความจำ มีความเร็วประมวลผลอยู่ที่ 8.5 Gbps (กิกะบิตต่อวินาที) เร็วกว่า 6.4 Gbps ของ LPDDR5 ถึง 1.3 เท่าตัว และใช้พลังงานน้อยกว่าราว 20% จากการลดขนาดกระบวนการผลิตไปอยู่ที่ 14 นาโนเมตร

Kingston ระบุว่าแรม DDR5 UDIMM กลุ่มแรกที่กำลังจะเปิดตัวในปีหน้า ได้รับการรับรองจาก Intel Platform Validation แล้ว และได้จัดส่งตัวอย่างแรม DDR5 UDIMM กว่า 10,000 ชิ้น ให้ผู้ผลิตเมนบอร์ด เพื่อเตรียมรองรับแรม DDR5 เมื่อวางจำหน่ายเรียบร้อยแล้ว

แรม DDR5 UDIMM ชุดแรกของ Kingston มี 2 ความจุ คือ 16GB และ 32GB ความเร็ว 4800MHz และใช้ไฟ 1.1V รหัส KVR48U40BS8-16 และ KVR48U40BD8-32 ตามลำดับ

Wall Street Journal รายงานข่าววงในว่า Western Digital กำลังเจรจาเพื่อควบรวมกับ Kioxia บริษัทหน่วยความจำของญี่ปุ่นที่รีแบรนด์มาจาก Toshiba Memory เดิม ปัจจุบัน Toshiba ถือหุ้นราว 40% ส่วนที่เหลือเป็นของบริษัทลงทุน Bain Capital

หากการเจรจาสำเร็จ บริษัทใหม่จะมีมูลค่า 2 หมื่นล้านดอลลาร์ โดย David Goeckeler ซีอีโอของ Western Digital จะนั่งเป็นซีอีโอของบริษัทใหม่

ผู้นำตลาดหน่วยความจำในปัจจุบันคือซัมซุง มีส่วนแบ่งตลาด NAND ประมาณ 1/3 ส่วน Kioxia มี 19% และ Western Digital มี 15% ซึ่งถ้าสองบริษัทนี้ควบรวมกันได้ก็จะมีส่วนแบ่งตลาดแซงหน้าซัมซุง