ปีนี้ไมโครซอฟท์พยายามผลักดันให้เป็นปีของ AI PC ซึ่งก็มาพร้อมกับสเป็กฮาร์ดแวร์ที่สูงขึ้นด้วย โดยมีข้อมูลที่ยังไม่เป็นทางการ ว่าไมโครซอฟท์ระบุสเป็กฮาร์ดแวร์ขั้นต่ำสำหรับการเป็น AI PC คือมีแรม 16GB เป็นอย่างน้อย

อย่างไรก็ตามนั่นคือสเป็กฮาร์ดแวร์เงื่อนไขเดียวที่ปรับเพิ่มขึ้นซึ่งมีข้อมูลออกมาตอนนี้ แต่น่าจะมีฮาร์ดแวร์ส่วนอื่นที่ปรับเงื่อนไขเพิ่มเช่นกัน โดยไมโครซอฟท์ตั้งเกณฑ์ว่ากำลังประมวลผลควรได้อย่างน้อย 40 TOPS จึงอาจมีรายละเอียดส่วน CPU, GPU และ NPU ด้วยเช่นกัน

ก่อนหน้านี้ไมโครซอฟท์ประกาศแผนผลักดัน AI PC โดยเพิ่มปุ่ม Copilot บนคีย์บอร์ดสำหรับเรียกใช้ฟังก์ชัน AI ใน Windows ได้โดยตรง

หลังการเปิดตัว MacBook Pro รุ่นชิป M3 ของแอปเปิลเมื่อสัปดาห์ที่แล้ว ประเด็นหนึ่งที่ถูกวิจารณ์มากคือตัวเริ่มต้น MacBook Pro จอ 14 นิ้ว ชิป M3 ที่ให้แรมเริ่มต้น 8GB ซึ่งอาจน้อยไปสำหรับการเป็นรุ่น Pro และถ้าต้องการเพิ่มแรม จะต้องจ่ายเพิ่ม 7,000 บาท สำหรับ 16GB และ 14,000 บาท สำหรับ 24GB

แอปเปิลปกติจะไม่พูดถึงขนาดของแรมในอุปกรณ์ที่วางขาย อย่างไรก็ตามข้อมูลใน Xcode 13 beta ล่าสุด ได้ระบุขนาดของแรมในอุปกรณ์ที่เพิ่งเปิดตัวไว้ดังนี้

โดย iPhone 13 Pro และ iPhone 13 Pro Max มีแรม 6GB เท่ากับปีก่อนในรุ่น iPhone 12 Pro เช่นเดียวกับ iPhone 13 mini และ iPhone 13 ที่มีแรมเท่าเดิมคือ 4GB

ส่วน iPad mini ที่เปิดตัวไปนั้น ใช้ชิป A15 Bionic แบบเดียวกับ iPhone 13 ได้เพิ่มแรมมาเป็น 4GB โดยรุ่นก่อนหน้านี้มี 3GB ส่วน iPad รุ่นที่ 9 มีแรม 3GB เท่ากับรุ่นที่ 8

ผู้ผลิตน่าจะรับรู้ปัญหานี้อยู่แล้ว แต่เลือกที่จะไม่เปิดเผยโดยหวังว่าน่าจะไม่มีใครรู้

Jarrod'sTech สังเกตเห็นความผิดปกติ และ Linus Tech Tip ได้นำมาทดสอบและนำเสนอผ่าน youtube คลิป "วิถีสกปรกที่ผู้ผลิตใช้ในการดาวน์เกรดพีซีของคุณ"

Linus ได้เอาโนตบุค 2 เครื่องที่สเปค RAM คล้ายๆกัน คือ 16 gigabytes, 3200 megahertz, DDR4.
แต่เครื่องหนึ่งเป็น AMD ส่วนอีกเครื่องเป็น Intel สเปคดังนี้

เครื่อง AMD ราคา 1650 ดอลลาร์
ASUS Strix G15 Advantage edition
AMD Ryzen 9 5900HX 8-Core + Radeon RX 6800M

เคื่อง Intel ราคา 2400 ดอลลาร์
Gigabyte Aorus 15G
Intel i7 11800H + NVIDIA GeForce NRTX 3080

Samsung ประกาศว่าบริษัทพัฒนาโมดูลหน่วยความจำแบบ DDR5 ขนาด 512GB โดยใช้เทคโนโลยี HKMG (High-K Metal Gate) หรือใช้วัสดุที่มีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกสูง (high-k dielectrics) มาเป็นตัวฉนวน ซึ่งจะช่วยเพิ่มความเร็วในการรับส่งข้อมูลของแรม

โมดูลใหม่ถูกออกแบบมาใช้คู่กับซีพียูเซิร์ฟเวอร์ที่รองรับแรม DDR5 เช่น ตระกูล Epyc 'Genoa' ของ AMD หรือ Xeon Scalable 'Sapphire Rapids' ของ Intel เมื่อใช้กับซีพียูที่มี 8 แชนแนลหน่วยความจำ และรองรับ DIMM สองชิ้นต่อแชนแนล จะทำให้ใส่หน่วยความจำ DDR5 ได้สูงสุดถึง 8TB

ตอนเดือนมีนาคม ซัมซุงประกาศเปิดตัว DRAM ความจุ 12GB ไปแล้ว ตอนนี้ซัมซุงจัดการรวม DRAM นั้นเข้ากับชิปหน่วยความจำ UFS 2.1 เป็นชิป uMCPs (UFS-based multichip packages) รุ่นใหม่ที่มีความจุ 10GB และ 12GB ด้วยกัน จากที่เคยทำได้มากสุดเพียง 8GB และจะติดตั้งในสมาร์ทโฟนระดับกลางมากขึ้น

Samsung Electronics ประกาศเริ่มผลิตชิปแรม LPDDR5 ขนาด 12 กิกะบิต (Gb) แบบจำนวนมาก (mass production) แล้ว และจะเริ่มนำชิปแรม 8 ตัวมารวมเป็นแพ็กเกจแรมขนาด 12 กิกะไบต์ (GB) ภายในเดือนนี้

ซัมซุงคุยว่าเพิ่งประกาศผลิตแรม LPDDR4X ขนาด 12GB ไปเมื่อเดือนมีนาคม 2019 และผ่านไปไม่นานก็พร้อมสำหรับแรม LPDDR5 ขนาด 12GB ที่มีอัตราการส่งข้อมูลเพิ่มขึ้น 1.3 เท่า (5.5 Gbps vs 4.266 Gbps) และใช้พลังงานน้อยลง 30%

อีกไม่นานเราคงเริ่มเห็นมือถือแรม 12GB แพร่หลายกันมากขึ้น

DRAMeXchange คาดว่าภายในไตรมาสแรกราคาแรมจะตกลงถึง 30% จากเดิมที่คาดไว้ 25% หลังปัญหาซีพียูอินเทลขาดตลาดยังคงไม่ดีขึ้น

ทาง DRAMeXchange ระบุว่าสินค้าคงคลังของผู้ผลิตแรมกำลังล้นสต็อกโดยตอนนี้ยอดสต็อกสูงถึง 6 สัปดาห์แล้ว และคาดว่าสถานการณ์ซีพียูขาดตลาดจะยังคงต่อเนื่องไปจนถึงไตรมาสสาม ยาวนานกว่าที่อินเทลเคยออกมาให้ข่าวก่อนหน้านี้ว่าจะดีขึ้นในช่วงครึ่งปีหลัง

ที่มา - DIGITIMES

Samsung เปิดตัวแรม LPDDR5 ขนาด 8GB สำหรับอุปกรณ์พกพา รองรับ 5G, AI และ UHD ใช้กระบวนการผลิตที่ 10nm

แรม LPDDR5 ขนาด 8GB มีอัตราการส่งข้อมูลสูงสุด 6,400 Mb/s เร็วขึ้น 1.5 เท่า จากแรม LPDDR4X ที่ให้อัตราการส่งข้อมูลสูงสุดอยู่ที่ 4,266Mb/s, สามารถส่งข้อมูล 51.2GB หรือวีดีโอ 14 ไฟล์ ความละเอียด Full HD ได้ใน 1 วินาที, มีสองแบนด์วิดท์ ได้แก่ 6,400 Mb/s ขนาดของแรงดันไฟฟ้า 1.1 โวลท์ และ 5,500Mb/s ที่ 1.05 โวลท์

นอกจากนี้ชิป LPDDR5 ยังมีโหมดที่เรียกว่า deep sleep mode ช่วยลดพลังงานให้กับอุปกรณ์พกพาได้ถึง 30% ลดลงครึ่งหนึ่งจาก idle mode ของ LPDDR4X

ส่วนการนำมาใช้จริงจะเริ่มกับมือถือรุ่นใดนั้้น คงต้องรอติดตามกันต่อไป ไม่แน่ว่าอาจเป็น Galaxy S10 ที่จะมาในปีหน้าก็ได้

JEDEC กลุ่มมาตรฐานด้านอิเล็กทรอนิกส์ที่มีสมาชิกเกือบ 300 ราย ประกาศว่ามาตรฐานของแรม DDR5 รุ่นถัดไป "น่าจะ" เสร็จภายในปีหน้า 2018 โดยจะมีแบนด์วิดท์สูงกว่าแรม DDR4 ในปัจจุบันถึง 2 เท่า

นอกจากนี้ แรม DDR5 จะยังมีความหนาแน่นของการจัดวางชิป (density) เพิ่มขึ้นอีก 2 เท่าเช่นกัน และมีการจัดการพลังงานที่มีประสิทธิภาพมากขึ้น

ตอนนี้ยังมีข้อมูลของสเปก DDR5 ออกมาแค่นี้ รายละเอียดทางเทคนิคคงต้องรอกันต่อไป (DDR5 ไม่เกี่ยวอะไรกับ GDDR5)

เป็นเรื่องที่ค้างคากันมานานว่าจริงๆ แล้ว iPhone 6s นั้นมาพร้อมกับแรมเท่าไหร่กันแน่ แต่จากอัพเดตล่าสุดของ Xcode เริ่มมีการให้ข้อมูลในเรื่องดังกล่าวออกมาแล้ว โดยผู้ที่สามารถแกะออกมาได้ คือนักพัฒนา iOS รายหนึ่งที่มีชื่อว่า Hamza Sood

Hamza Sood อธิบายว่า ใน iOS Emulator จะมีการส่งค่า memoryClass ของตัวเครื่องจริงออกมาเพื่อทดสอบการทำงานของแอพพลิเคชันด้วย และเขาได้ใช้เทคนิคดังกล่าวในการเขียนแอพพลิเคชันเพื่อแสดงค่าออกมา ซึ่งผลก็คือ iPhone 6s (และ iPhone 6s Plus) จะมาพร้อมกับแรม 2GB และ iPad Pro มาพร้อมกับแรม 4GB ซึ่งมากที่สุดในบรรดาอุปกรณ์ iOS ทั้งหมด ที่มีขนาดแรมส่วนใหญ่ที่ 1GB

แรมในสมาร์ทโฟนยังคงเพิ่มขึ้นได้อีกเรื่อยๆ หลังจากช่วงปีที่ผ่านมาเริ่มเห็นสมาร์ทโฟนที่ใช้แรมระดับ 4GB ออกมาบ้างแล้ว ในอนาคตกันใกล้ตัวเลขนี้อาจจะขยับไปเป็น 6GB หลังซัมซุงออกมาประกาศผลิตแรม LPDDR4 รุ่นใหม่แล้ว

เจ้าชิปแรม LPDDR4 รุ่นใหม่ของซัมซุงผลิตออกมาเป็นโมดูลละ 12Gb ซึ่งถ้านำมาต่อกันสี่แถวตามที่สมาร์ทโฟนเรือธงหลายรุ่นทำกัน จะได้ความจุรวมที่ 48Gb หรือเท่ากับ 6GB นั่นเอง นอกจากความจุที่มากขึ้นแล้ว ยังได้ความเร็วเพิ่มขึ้นอีก 30% ในขณะที่กินพลังงานลดลง 20%

อย่างไรก็ตาม ซัมซุงยังไม่ได้ประกาศว่าจะเริ่มส่งแรมรุ่นใหม่นี้เมื่อไร แต่ถ้าดูจากรอบก่อนๆ คาดว่าอย่างช้าน่าจะราวปลายปีหน้าครับ

ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาแรม DDR4 มาได้สองปีกว่า ตอนนี้ซัมซุงเริ่มผลิตจำนวนมากเป็นที่เรียบร้อยแล้ว โดยจะเอามาจับกลุ่มองค์กรก่อน

แรม DDR4 ของซัมซุงจะผลิตบนสถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตร แต่ละโมดูลจุ 4Gb ซัมซุงเคลมว่าทำความเร็วได้สูงสุด 2,667Mbps เทียบกับแรม DDR3 แล้วประสิทธิภาพสูงกว่า 25% แต่กินพลังงานน้อยกว่า 30%

แรม DDR4 ชุดแรกที่ออกมาจะยังทำความเร็วได้ไม่สุด ซัมซุงเคลมว่าจะทำความเร็วได้ถึง 4,000Mbps ในอนาคตครับ

ที่มา - Engadget

SK Hynix ผู้ผลิตชิปแรมเปิดตัวแรมรุ่นใหม่ที่ใช้เทคโนโลยีการผลิต 20 นาโนเมตร ในรูปแบบ LPDDR3 ทำให้ชิปแต่ละตัวมีความจุถึง 8 กิกะบิตหรือ 1 กิกะไบต์ แต่ด้วยขนาดที่เล็กลงทำให้สามารถต่อหลายชิปเข้าในแพ็กเกจเดียวกัน จนชิปที่เป็นแพ็กเกจเดียวสามารถมีความจุได้ถึง 4 กิกะไบต์

งานนี้ทาง SK Hynix คาดว่าเราจะเริ่มเห็นโทรศัพท์ที่มีแรม "มากกว่า" 2 กิกะไบต์กันภายในครึ่งหลังของปีนี้มากขึ้นเรื่อยๆ อย่างไรก็ดี ชิปรุ่นใหม่นี้จะเดินสายการผลิตเต็มกำลังในช่วงปลายปี

ที่มา - Engadget

หลังจากซัมซุงเริ่มผลิตหน่วยความจำ LPDDR3 2GB ไปเมื่อปลายปีก่อน จนตอนนี้อุปกรณ์พกพารุ่นท็อปพากันใช้แรม 2GB กันหมดแล้ว เมื่อเร็วๆ นี้ซัมซุงก็ประกาศความสำเร็จในการพัฒนา LPDDR3 4GB เป็นที่เรียบร้อยแล้ว

นอกจากความจุสูงสุดจะเพิ่มเป็น 4GB หน่วยความจำรุ่นใหม่นี้ยังขยับไปผลิตในสถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตร (จากรุ่นก่อนหน้า 30 นาโนเมตร) ตามสเปคที่ออกมาสามารถส่งข้อมูลด้วยความเร็ว 2,133 Mbps แม้ไม่ได้บอกแบนวิดท์มา แต่ก็ให้ตัวเลขประสิทธิภาพมาคร่าวๆ ว่าจะเหนือกว่า LPDDR2 30% ในขณะที่กินไฟน้อยราวๆ 20%

ซัมซุงบอกว่าหน่วยความจำรุ่นนี้จะเริ่มใช้ในอุปกรณ์ของตัวเองในอีกเดือนสองเดือนข้างหน้า ไม่แน่ว่าเราอาจจะเห็น Galaxy Note 3 ใช้ก็ได้ครับ

แม้ว่าเราจะเห็นสมาร์ทโฟน/แท็บเล็ตหลายรุ่นก้าวข้ามไปใช้แรม 2GB กันบ้างแล้ว แต่ก็ยังมีเฉพาะบางแบรนด์ และรุ่นท็อปเท่านั้น ปีหน้าอาจจะได้เห็นกันมากขึ้น หลังจากผู้ผลิตแรมสำหรับอุปกรณ์พกพาอย่างซัมซุง เริ่มผลิตแรม LPDDR3 ที่ความจุ 2GB เป็นจำนวนมากแล้ว

รุ่นใหม่นี้เป็นการต่อยอดจาก LPDDR2 ที่เปิดตัวไปเมื่อปลายปีก่อน โดยสามารถส่งข้อมูลด้วยความเร็ว 1,600 Mbps (มากกว่ารุ่นเดิมราว 50%) และมีแบนวิดท์เพิ่มขึ้นเป็น 12.8 GB/s ทั้งหมดนี้ผลิตบนสถาปัตยกรรมขนาด 30 นาโนเมตรแล้ว

นอกจากแรมแล้ว หน่วยความจำสำรองแบบแฟลชที่ใช้กันบนมือถือความจุ 128GB ก็เริ่มผลิตจำนวนมากแล้วเช่นกัน

ต้นปีหน้าเราคงได้เห็นสมาร์ทโฟนแรม 2GB ความจุ 128GB เปิดตัวกันบ้างแล้ว

จากความนิยมในอุปกรณ์พกพาจำพวกสมาร์ทโฟน และแท็บเล็ตส่งผลให้ยอดส่ง DRAM เปลี่ยนมือจากพีซีที่มีสัดส่วนเหนือกว่าอุปกรณ์พกพามาตั้งแต่ยุค 1980 ต้องเปลี่ยนมือแล้ว

ข้อมูลยอดส่ง DRAM จาก IHS iSuppli ประจำไตรมาสสองของปีนี้ระบุว่ายอดส่ง DRAM ของฝั่งพีซีตกลงมาเหลือ 49% เป็นที่เรียบร้อยแล้ว ลดลงมาจากไตรมาสก่อนหน้าเล็กน้อย (50.2%) แต่ก็มากพอที่จะทำให้ฝั่งพีซีกลายเป็นอันดับสองได้แล้ว

สำหรับตัวเลขคาดการณ์ในช่วงปลายปี 2013 ยอดส่ง DRAM สำหรับพีซีน่าจะตกไปที่ราว 42.8% เนื่องมาจากแนวโน้มผู้ผลิต DRAM สำหรับพีซีรายใหญ่อย่าง Micron, Samsung และ Hynix ที่หันไปเน้นผลิต DRAM สำหรับอุปกรณ์พกพามากกว่าแล้ว

สำนักข่าว DigiTimes รายงานว่าแอปเปิลเพิ่งทำคำสั่งซื้อชิป DRAM เป็นจำนวนมหาศาลสำหรับใช้ใน iPhone และ iPad จากบริษัท Elpida ประเทศญี่ปุ่น โดยปริมาณสั่งซื้อนั้นคิดเป็นครึ่งหนึ่งของกำลังการผลิตในโรงงาน Elpida เลยทีเดียว

ข่าวดังกล่าวส่งผลต่อบริษัทผู้ผลิต DRAM ที่มีส่วนแบ่งยอดขายสูงของโลก ได้แก่ ซัมซุง (53.8%) และ SK Hynix (20.8%) ทำให้ราคาหุ้นสองบริษัทนี้ปรับตัวลงอย่างมาก โดยนักวิเคราะห์มองว่าแอปเปิลอาจไม่ต้องการให้ซัมซุงและ Hynix มีอำนาจในตลาดนี้มากเกินไปจึงตัดสินใจสั่งซื้อ DRAM จากผู้ผลิตรายอื่นแทนเพื่อสร้างอำนาจต่อรองในอนาคต

บริษัท Elpida เพิ่งยื่นขอล้มละลายและพิทักษ์สินทรัพย์ การได้คำสั่งซื้อใหญ่จากแอปเปิลนี้จึงอาจช่วยต่อลมหายใจของบริษัทไปได้อีกระยะหนึ่ง

แม้ว่ามาตรฐานแรมรุ่นถัดไปอย่าง DDR4 ยังไม่ได้ประกาศอย่างเป็นทางการ หลังจากที่ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาไปตั้งแต่ต้นปี 2011 แต่ตอนนี้ผู้ผลิตอย่าง Micron ได้พัฒนาแรม DDR4 ที่พร้อมสำหรับใช้งานจริงได้แล้ว และเริ่มส่งตัวอย่างไปยังคู่ค้าบางราย เพื่อเริ่มผลิตจำนวนมากในไตรมาสสุดท้ายของปีนี้แล้ว

มาตรฐาน DDR4 ของ Micron จะชิปขนาด 4Gb จำนวน 8-32 ชิ้นแล้วแต่รุ่น ซึ่งสามารถทำความเร็วส่งข้อมูลได้เริ่มต้นที่ 2400 MT/s และจะเพิ่มเป็น 3200 MT/s ในภายหลัง

ซัมซุงประกาศวานนี้ว่าบริษัทได้เข้าซื้อบริษัท Grandis ซึ่งเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำแบบถ่ายโอนแรงบิด (STT-Spin Transfer Torque RAM หรือ STT-RAM) โดยบริษัท Grandis จะเข้าไปรวมอยู่กับฝ่ายวิจัยและพัฒนาของซัมซุงด้านหน่วยความจำต่อไป

Grandis เป็นบริษัทที่มีสิทธิบัตรด้านหน่วยความจำแบบ STT-RAM อยู่ในมือหลายตัว และเทคโนโลยี STT นี้ก็น่าจะเป็นอนาคตในการพัฒนาขีดความสามารถของหน่วยความจำให้สูงขึ้นไปได้ ทำให้ซัมซุงซึ่งเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ต้องการสิทธิบัตรดังกล่าวเพื่อสร้างโอกาสในธุรกิจต่อไป

ที่มา: BGR

จากที่มีข่าวว่าสายการผลิตชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ในประเทศญี่ปุ่นอาจมีปัญหาจากแผ่นดินไหว ล่าสุดบริษัท Elpida Memory ของประเทศญี่ปุ่นซึ่งเป็นผู้ผลิต DRAM อันดับ 3 ของโลกรองจากซัมซุง และ Hynix ออกมายืนยันว่าสายการผลิตของบริษัทตอนนี้อยู่ในระดับเกือบเป็นปกติแล้ว

นอกจากนี้บริษัทยังยืนยันว่าสามารถส่งมอบสินค้าได้ตามกำหนดจนถึงเดือนกรกฎาคมแน่นอน เนื่องจากวัตถุดิบที่ใช้ในการผลิตยังมีอยู่เพียงพอ แต่บริษัทกำลังประเมินและวางแผนสำหรับสินค้าที่จะส่งมอบหลังจากนั้น

ที่มา: Reuters

ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาแรมแบบ DDR4 DRAM ซึ่งมีข้อดีเหนือกว่า DDR3 ทั้งในเรื่องพลังงานและอัตราการส่งข้อมูล

ในการผลิตที่ 30 นาโนเมตรเท่ากัน โมดูลของแรม DDR3 ส่งข้อมูลได้สูงสุด 1.6Gbps โดยกินไฟ 1.35-1.5V ส่วนโมดูลแรม DDR4 ส่งข้อมูลได้สูงสุด 2.133Gbps แต่ใช้ไฟเพียง 1.2V ซึ่งในการใช้งานจริงบนโน้ตบุ๊กจะลดพลังงานลงได้ 40%

เทคโนโลยีที่ใช้ผลิตคือ Pseudo Open Drain (POD) ที่ลดกระแสไฟฟ้าลงครึ่งหนึ่งจากเดิม ตัวแรม DDR4 ที่ประกอบโมดูลเข้าด้วยกันแล้วจะส่งข้อมูลได้ 3.2Gbps ซัมซุงจะร่วมกับผู้ผลิตฮาร์ดแวร์เซิร์ฟเวอร์ออกมาตรฐานของแรม DDR4 ในครึ่งหลังของปีนี้

ไม่รู้ทำไมวันนี้ข่าวเกี่ยวกับแรมเยอะมาก เลยขอรวบสามข่าวเข้าเป็นข่าวเดียวกันนะครับ

ข่าวแรกคือชิป GDDR5 จากบริษัท Hynix ที่บ้านเราคงเห็นกันตามห้างไอทีเยอะพอสมควร ชิปรุ่นใหม่ที่เปิดตัวนี้มีขนาด 1 กิกะบิต ให้ความเร็วในการส่งข้อมูล 7 กิกะบิตต่อวินาที เทียบกับชิปที่เร็วที่สุดในตลาดทุกวันนี้ที่ทำได้เพียง 5 กิกะบิตต่อวินาทีเท่านั้น

แม้จะเปิดตัวแล้ว แต่ของจะเริ่มส่งมอบได้ช่วงครึ่งปีแรกของปี 2009 และหลังจากนั้นอีกสักพักการ์ดจอจึงเริ่มวางตลาดกัน

ที่มา - Tech-On

บริษัท MetaRAM ได้เปิดตัวสินค้าชิ้นแรกของบริษัทคือ MetaSDRAM ชิปเซ็ตซึ่งจะเพิ่มความจุของแรมที่รองรับได้ในซ็อกเก็ต R-DIMM ทำให้แรมหนึ่งแถวสามารถรองรับความจุได้ถึง 16 กิกะไบต์ โดยยังสามารถใส่กับเครื่องเซิร์ฟเวอร์ที่รองรับ R-DIMM ได้โดยไม่ต้องเปลี่ยนแปลงอะไรในตัวเครื่องแต่อย่างใด

ทาง MetaRAM อ้างว่ามีคู่ค้าบางรายเตรียมตัววางตลาดเซิร์ฟเวอร์ที่ใช้เทคโนโลยีของทาง MetaRAM ทำให้จะมีเซิร์ฟเวอร์ที่มาพร้อมกับแรม 256 กิกะไบต์ (พิมพ์ไม่ผิดนะครับ กิกะไบต์) วางตลาดในราคาประมาณ 50,000 ดอลลาร์หรือประมาณหนึ่งล้านห้าแสนบาทเท่านั้น และเทคโนโลยีนี้ยังเปิดโอกาสให้เซิร์ฟเวอร์อาจจะมาพร้อมกับแรมได้มากถึง 500 กิกะไบต์ได้ในราคาที่สูงขึ้นตามลำดับ