นักวิจัยจากมหาวิทยาลัยเพนซิลวาเนีย (University of Pensylvania) ได้สร้างอุปกรณ์เก็บข้อมูล ที่อยู่บนพื้นฐานของลวดนาโน (Nanowire) ซึ่งสามารถเก็บข้อมูลเป็นจำนวนบิตได้มากกว่าหน่วยความจำแบบทั่วไป แทนที่จะเก็บข้อมูลอยู่ในรูปของ "0", "1" ก็จะสามารถเก็บได้เป็น "0", "1" และ "2" ความสามารถดังกล่าว นำไปสู่การพัฒนาอุปกรณ์เก็บข้อมูลรุ่นถัดไป ซึ่งมีความจุของข้อมูลสูงกว่าเดิม

ลวดนาโนที่ทางทีมวิจัยนำมาใช้ มีลักษณะโครงสร้างคล้ายกับสาย โคแอ็กเชียล (Coaxial) โดยส่วนของแกนทำด้วยสารประกอบระหว่าง เจอร์เมเนียม, เงิน, เทลลูเรียม หรือ Ge2Sb2Te5 ในขณะที่ส่วนนอกสร้างมาจาก เจอร์มันเนียม เทลลูไรด์ หรือ GeTe