SK Hynix ผู้ผลิตชิปเมมโมรีจากเกาหลีใต้ เผยสเปคของชิปเมมโมรีแบบ GDDR6 และ HBM2 ใน Databook ของตัวเองแล้ว ข้อมูลนี้มีประโยชน์สำหรับการคาดเดาเกี่ยวกับกราฟิกการ์ดรุ่นใหม่ๆ ที่จะออกมาต่อจากนี้ครับ

เริ่มที่ GDDR6 จะมากับความจุสูงสุด 8Gb (1GB) ต่อหนึ่งเม็ดแรมที่แบนด์วิดธ์ 12 และ 14Gbps ที่แรงดันไฟ 1.35V พร้อมผลิตจำนวนมากในไตรมาสสุดท้ายปีนี้ ปัจจุบันแรมที่แรงสุดบนกราฟิกการ์ดคือ GDDR5X 11Gbps บน GeForce GTX 1080 รุ่นปรับปรุงใหม่ เมื่อนำสเปคมาคำนวณ การ์ดที่ใช้ GDDR6 14Gbps ต่อแบบ 384 บิต จะทำแบนด์วิดธ์สูงสุดถึง 672GB/s ทั้งนี้ขึ้นอยู่กับคล็อกที่ตั้ง (วิเคราะห์เพิ่มเติม: ถ้าเวลาทัน น่าจะได้เจอใน GeForce GTX 2000)

ด้าน HBM2 ก็มีอัพเดตความจุเป็น 4GB ต่อ 1 stack ที่ความเร็ว 1.6Gbps ถ้าประกอบบนจีพียูแบบ 4 stack จะทำแบนด์วิดธ์ได้ถึง 809GB/s และพบว่าแรมรุ่น 2.0Gbps หายไปจากแคตตาล็อกแล้ว

HBM (High Bandwidth Memory) อธิบายให้ง่ายคือการฝังเม็ดเมมโมรีไว้บนคอร์ GPU ถูกใช้ครั้งแรกกับการ์ด AMD Radeon R9 Nano และ HBM2 ตอนนี้มีใช้อยู่บนการ์ด NVIDIA Tesla P100

SK Hynix และ Samsung เผยข้อมูลของ HBM3 ออกมา ว่าความหนาแน่นของจำนวน die จะเพิ่มจาก 8 เป็น 16Gb ทำให้เราอาจเห็นกราฟิกการ์ดในอนาคตมีแรมบนการ์ดมากถึง 64GB ได้ สร้างแบนด์วิดท์ได้ 512GB/s ต่อเมมโมรีหนึ่งเลเยอร์ และใช้แรงดันไฟต่ำกว่าเดิม และมีราคาถูกกว่า กำหนดผลิตสำเร็จช่วงปี 2019-2020 ครับ

ที่มา - Ars Technica