SK Hynix ประกาศว่าบริษัทเริ่มสายการผลิตหลักของชิปหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง HBM3E แบบซ้อน 12 ชั้นแล้ว ซึ่งเป็นไปตามแผนงานที่บริษัทประกาศไว้ก่อนหน้านี้

HBM3E แบบซ้อน 12 ชั้น จะทำให้มีความจุเพิ่มขึ้นเป็น 36GB (DRAM ตัวละ 3GB) จากเดิม HBM3E ที่ SK Hynix ผลิตมี 8 ชั้น ความจุ 24GB ซึ่งเริ่มส่งมอบให้ลูกค้าไปเมื่อเดือนมีนาคมที่ผ่านมา

HBM หรือชิปหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง เป็นสินค้าที่มีความต้องการสูงจากลูกค้ากลุ่มชิป AI เทคโนโลยีที่เพิ่ม DRAM เป็น 12 ชั้น ทำให้ความจุสำหรับการประมวลผลเพิ่มขึ้น 50% ความเร็วสูงสุด 9.6Gbps มากที่สุดเท่าที่ชิปหน่วยความจำมีในท้องตลาด โดยตัวชิปยังคงความบางไว้เท่าเดิม

Justin Kim ประธานกลุ่มสินค้าโครงสร้างพื้นฐาน AI ของ SK Hynix บอกว่าบริษัทยังคงเดินหน้าพัฒนาเทคโนโลยี ให้รักษาการเป็นเบอร์หนึ่งของชิปหน่วยความจำสำหรับ AI ซึ่งมีความท้าทายเพิ่มมากขึ้นในอนาคต

ที่มา: SK hynix