การ์ดเมมโมรีทุกวันนี้ที่เราใช้งานกันอยู่ล้วนอยู่บนพื้นฐานของเทคโนโลยี NAND Flash ทั้งสิ้น ซึ่งที่ผ่านมาเทคโนโลยีนี้ก็ทำหน้าที่ของมันได้เป็นอย่างดี ด้วยราคาที่ถูกมากและอายุการใช้งานที่ยาวนานพอ แต่ข้อจำกัดด้านความเร็วอาจจะทำให้หลายๆ คนต้องบ่นๆ กันอยู่เรื่อยๆ เนื่องจากเทคโนโลยี NAND Flash นี้มีข้อจำกัดด้านความเร็วโดยเฉพาะความเร็วในการเขียนข้อมูลอยู่มาก

แต่เมื่อวานนี้ทางไอบีเอ็มก็ได้ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาหน่วยความจำด้วยเทคโนโลยี PCM (Phase-Change Memory) ที่ทางไอบีเอ็มระบุว่ามีความเร็วกว่า NAND Flash ถึงห้าร้อยเท่าตัว เพียงพอที่จะใช้แทนที่หน่วยความจำปรกติได้ และยังใช้พลังงานเพียงครึ่งเดียวของ NAND Flash

ก่อนหน้านี้ทางซัมซุง ซึ่งเป็นผู้ผลิตแฟลชแรมอันดับต้นๆ ของโลก ก็ได้ประกาศความสำเร็จในการพัฒนา PRAM ที่ใช้แนวคิดเดียวกัน แต่ทางซัมซุงระบุว่าการออกแบบของตนนัั้นให้ความเร็วเหนือ NAND Flash ที่สามสิบเท่าตัว แม้จะเร็วกว่าเดิมมาก แต่ก็ไม่พอที่จะแทนที่หน่วยความจำหลักในเครื่องแต่อย่างใด

แต่ทางซุมซุงระบุว่าเทคโนโลยีของตนนั้น สามารถปรับสายการผลิตหน่วยความจำปรกติมาผลิตได้ในเร็วๆ นี้ ทำให้เราอาจจะเห็นการ์ด PRAM วางขายกันภายในปี 2008 ส่วนฝั่ง PCM ของทางไอบีเอ็มนั้นคงต้องรอกันอีกสักระยะ

อีกหน่่อยเราคงใช้ฮาร์ดดิสก์ไว้แบคอัพกันอย่างเดียวสินะ..?

ที่มา - ArsTechnica