Micron เปิดเทคโนโลยีการผลิตชิป NAND ที่ซ้อนหน่วยความจำขึ้นไปสูงถึง 232 ชั้น นับเป็นการซ้อนสูงกว่า 200 ชั้นเป็นครั้งแรก ทำให้สามารถใส่ความจุต่อพื้นที่ได้สูงถึง 14.6 กิกะบิต (1.825 กิกะไบต์) ต่อตารางมิลลิเมตร สูงกว่าเทคโนโลยีคู่แข่งอย่างน้อย 35%

ด้วยเทคโนโลยีนี้ ตัวชิปจริงจะมีความจุสูงสุด 1 เทราบิต และแต่ละแพ็กเกจ (ชิปที่เราเห็นบนบอร์ดวงจร) จะมีความจุสูงสุด 2 เทราไบต์ ภายในตัวชิปมีชุดควบคุมการอ่านเขียน (plane) ทั้งหมด 6 ชุด สามารถส่งข้อมูลได้ที่ระดับ 2.4 กิกะไบต์ต่อวินาทึ

ตอนนี้ชิปรุ่นใหม่เดินสายการผลิตแบบจำนวนมากแล้วที่โรงงานในสิงคโปร์ และลูกค้ารายแรกคือ Crucial ที่เตรียมนำไปผลิต SSD สำหรับผู้ใช้ตามบ้าน

ที่มา - Micron