กระทรวงการค้าสหรัฐประกาศข้อสรุปในการให้เงินอุดหนุน Micron ในการสร้างโรงงานในสหรัฐอเมริกา เป็นเงินรวมมากกว่า 6.1 พันล้านดอลลาร์ ภายใต้กฎหมาย CHIPS Act ต่อจากแผนเบื้องต้นที่ประกาศเมื่อเดือนเมษายน

Micron จะนำเงินสนับสนุนนี้ไปใช้ในการก่อสร้างโรงงานที่เมือง Clay รัฐนิวยอร์ก และเมือง Boise รัฐไอดาโฮ จากแผนเงินลงทุนรวม 1.25 แสนล้านดอลลาร์ ในระยะเวลามากกว่า 10 ปีข้างหน้า คาดว่าจะสร้างงานได้มากกว่า 2 หมื่นตำแหน่ง

กระทรวงการค้าสหรัฐยังมีข้อตกลงเบื้องต้น ให้เงิน Micron อีก 275 ล้านดอลลาร์ สำหรับการขยายโรงงานในเมือง Manassas รัฐเวอร์จิเนีย ซึ่งเป็นโรงงานผลิตชิ้นส่วนสำหรับการทหาร ยานยนต์ และส่วนเทคโนโลยีด้านความปลอดภัยของประเทศ

Micron เปิดตัว Micron 6550 ION SSD แบบ PCIe Gen5 ชูจุดเด่นที่อัตราการอ่าน/เขียนสูงที่สุดในโลก อัตราการอ่านแบบ sequential สูงถึง 12,000 MB/s เขียนแบบ sequential ที่ 5,000 MB/s และอัตราการอ่านแบบสุ่ม 1,600 KIOPS

ตัว SSD สร้างจาก Micron G8 TLC NAND โดยอ้างว่าล้ำกว่าคู่แข่งไป 1-3 รุ่น และยังชูว่าใช้ชิปของบริษัทเองแทบทั้งหมด ตั้งแต่ NAND, DRAM, controller ไปจนถึงพัฒนาเฟิร์มแวร์เอง

รุ่นย่อยของ Micron 6550 ION มี 6 รุ่น ให้เลือกจากตัวถัง 3 ขนาด ได้แก่ U.2, E1.L, และ E3.S-1T สำรับความจุมีสองขนาด คือ 30.72TB และ 61.44TB ตอนนี้เริ่มส่งมอบตัวอย่างแล้ว

รัฐบาลสหรัฐประกาศข้อตกลงเบื้องต้น ให้เงินอุดหนุนบริษัทผู้ผลิตชิปตั้งโรงงานในสหรัฐอเมริกา ตามกฎหมาย CHIPS Act โดยครั้งนี้คือ Micron วงเงินประมาณ 6,140 ล้านดอลลาร์

เงินสนับสนุนนี้ Micron จะนำไปใช้งานในการก่อสร้างโรงงานสามแห่ง โดยสองแห่งอยู่ในเมือง Clay รัฐนิวยอร์ก และอีกแห่งอยู่ที่เมือง Boise รัฐไอดาโฮ มูลค่าการลงทุนเบื้องต้นในปี 2023 ประมาณ 5 หมื่นล้านดอลลาร์ คาดว่าจะสร้างงานได้มากกว่า 7 หมื่นตำแหน่ง ทั้งส่วนของโรงงานผลิต การก่อสร้าง และการจ้างงานที่เกี่ยวข้อง

Lenovo เปิดตัวโน้ตบุ๊กเวิร์คสเตชันรุ่นใหม่ ThinkPad P1 Gen 7 ที่ยังคงคอนเซปต์การเป็นโน้ตบุ๊กหน้าจอ 16" แต่มีการ์ดจอเกรดเวิร์คสเตชันมาให้

สเปกหลักๆ ของเครื่องเป็นการอัพเกรดตามรอบปกติ ซีพียูเป็น Core Ultra vPro สูงสุด Core Ultra 9 185H, จีพียูมี Intel Arc ออนบอร์ด พ่วงด้วย GeForce RTX 4060/4070 หรือจะใช้ RTX 1000/2000/3000 Ada Generation ก็ได้, แรมสูงสุด 64GB, สตอเรจสูงสุด 8TB

Ashwini Vaishnaw รัฐมนตรีว่าการกระทรวงอิเล็กทรอนิกส์และไอทีของอินเดีย ให้ข้อมูลว่า Micron จะเข้ามาเริ่มสร้างโรงงานประกอบและทดสอบชิปที่รัฐคุชราต (Gujarat) โดยเริ่มก่อสร้างในเดือนสิงหาคมนี้ และตั้งเป้าผลิตชิปตัวแรกบนแผ่นดินอินเดียภายในสิ้นปี 2024

Vaishnaw บอกว่าโรงงานแห่งนี้ใช้เวลาราว 18 เดือนนับตั้งแต่เริ่มก่อสร้างจนถึงเดินสายการผลิตได้จริง ซึ่งถือเป็นระยะเวลาที่สั้นมากในการเริ่มสร้างอุตสาหกรรใหม่ในประเทศหนึ่งๆ

รัฐบาลอินเดียมีแผนงบประมาณ 1 หมื่นล้านดอลลาร์สนับสนุนให้ตั้งโรงงานผลิตชิปในประเทศ โดยจะมอบเงินอุดหนุนนี้ให้กับบริษัทต่างชาติที่ส่งข้อเสนอเข้ามา และ Micron คือหนึ่งในนั้น โรงงานของ Micron มีมูลค่า 2.75 พันล้านดอลลาร์

รัฐบาลจีนสั่งแบนการขายสินค้าของ Micron ด้วยเหตุผลเรื่องความมั่นคง หลังเริ่มเข้าตรวจสอบ Micron มาตั้งแต่เดือนเมษายน

หน่วยงานที่รับผิดชอบเรื่องนี้คือ Cyberspace Administration of China (CAC) ระบุว่าผลการตรวจสอบพบว่าหน่วยความจำของ Micron มีช่องโหว่ความปลอดภัยร้ายแรง เป็นอันตรายต่อความมั่นคงทางโครงสร้างพื้นฐานไอทีของประเทศจีน แต่ไม่ได้ให้ข้อมูลรายละเอียดว่าช่องโหว่นี้คืออะไร

ตามสไตล์หน่วยงานจีนที่ไม่บอกรายละเอียดของการแบน จึงคาดกันว่าการแบน Micron ครั้งนี้น่าจะเป็นมาตรการตอบโต้สหรัฐแบน YMTC บริษัทหน่วยความจำของจีน

หลังจากจีนถูกสหรัฐกดดันและปิดกั้นหลายๆ ด้านในแง่ของการแข่งขันเรื่องการพัฒนาชิปเซ็ต ไปจนถึงการตรวจสอบบริษัทสัญชาติจีนเรื่องความมั่นคง

ล่าสุดหน่วยงานจัดการไซเบอร์ของจีน (CAC - The Cyberspace Administration of China) ประกาศเข้าตรวจสอบ Micron บริษัทผลิตชิปเมมโมรี่และสตอเรจสัญชาติอเมริกันในประเด็นด้านความมั่นคงด้วยเช่นกัน โดยให้เหตุผลว่า เพื่อปกป้องความมั่นคงด้านโครงสร้างพื้นฐานที่สำคัญของซัพพลายเชน และป้องกันความเสี่ยงทางไซเบอร์

ขณะที่ Micron ยืนยันว่าระบบซัพพลายเชนทุกอย่างจะไม่กระทบจากการตรวจสอบครั้งนี้

ที่มา - Bloomberg

Micron เปิดเทคโนโลยีการผลิตชิป NAND ที่ซ้อนหน่วยความจำขึ้นไปสูงถึง 232 ชั้น นับเป็นการซ้อนสูงกว่า 200 ชั้นเป็นครั้งแรก ทำให้สามารถใส่ความจุต่อพื้นที่ได้สูงถึง 14.6 กิกะบิต (1.825 กิกะไบต์) ต่อตารางมิลลิเมตร สูงกว่าเทคโนโลยีคู่แข่งอย่างน้อย 35%

ด้วยเทคโนโลยีนี้ ตัวชิปจริงจะมีความจุสูงสุด 1 เทราบิต และแต่ละแพ็กเกจ (ชิปที่เราเห็นบนบอร์ดวงจร) จะมีความจุสูงสุด 2 เทราไบต์ ภายในตัวชิปมีชุดควบคุมการอ่านเขียน (plane) ทั้งหมด 6 ชุด สามารถส่งข้อมูลได้ที่ระดับ 2.4 กิกะไบต์ต่อวินาทึ

ตอนนี้ชิปรุ่นใหม่เดินสายการผลิตแบบจำนวนมากแล้วที่โรงงานในสิงคโปร์ และลูกค้ารายแรกคือ Crucial ที่เตรียมนำไปผลิต SSD สำหรับผู้ใช้ตามบ้าน

Micron Technology เปิดตัว microSD รุ่น i400 ความจุสูงถึง 1.5TB เน้นตลาดกล้องวงจรปิดสำหรับภาคอุตสาหกรรม (ความจุสูงสุดก่อนหน้านี้คือ 1TB)

การ์ดรุ่นนี้ใช้หน่วยความจำแบบ 3D NAND เรียงซ้อนกัน 176 เลเยอร์เพื่อให้ได้ความจุระดับนี้ Micron บอกว่าพื้นที่ 1.5TB สามารถบันทึกวิดีโอได้นาน 120 วัน เหมาะสำหรับการใช้ในโรงงานหรือไซต์งานที่อยู่ไกล (เช่น เรือสินค้าหรือแท่นขุดเจาะน้ำมัน) ซึ่งอาจมีข้อจำกัดเรื่องแบนด์วิดท์ จะได้ไม่ต้องเปลืองข้อมูลอัพโหลดคลิปบ่อยๆ แต่ยังกลับมาดูภาพย้อนหลังได้เสมอ

ตอนนี้ Micron เริ่มส่งตัวอย่าง microSD i400 ให้พาร์ทเนอร์ด้านโซลูชันกล้องวงจรปิด เช่น Verkada แล้ว

หลัง Intel เตรียมออกซีพียู Intel Core 12th Gen เมนบอร์ดรุ่นใหม่ที่เตรียมรองรับซีพียูเจ็นใหม่นี้ เริ่มมาพร้อมกับการรองรับแรมแบบ DDR5 แล้ว แต่ปัญหาคือชิ้นส่วนบางอย่างของแรม DDR5 เช่น วงจรจัดการพลังงาน (power management IC) และโมดูลคุมแรงดันไฟฟ้า (voltage regulating module) ที่ไปรวมอยู่บนแรม DDR5 เริ่มหายากขึ้น ทำให้แรมอาจจะมีราคาแพงขึ้น และหาซื้อได้ยากอีกครั้ง

Micron ประกาศขายโรงงานผลิตหน่วยความจำแบบ 3D XPoint ที่ร่วมพัฒนากับอินเทลเป็น Optane (ประกาศเลิกทำเมื่อต้นปี) ให้กับ Texas Instrument แล้ว ถือเป็นการปิดฉากการลงทุนในหน่วยความจำ non-volatile memory ที่ล้มเหลวของ Micron

ฝั่งของอินเทลยังไม่มีท่าทีชัดเจนว่าจะเอายังไงกับ Optane ต่อไป แต่เมื่อหน่วยความจำที่ใช้ใน Optane ต้องผลิตจากโรงงานของ Micron ก็ไม่น่าจะไปต่อได้ง่ายนัก

โรงงานผลิตหน่วยความจำแห่งนี้อยู่ที่เมือง Lehi ในรัฐ Utah ของสหรัฐ มูลค่าการขายกิจการรวมทั้งหมด 1.5 พันล้านดอลลาร์ แบ่งเป็นเงินสด 900 ล้านดอลลาร์ และการตีมูลค่าจากเครื่องมือและทรัพย์สินต่างๆ อีก 600 ล้านดอลลาร์

บริษัทหน่วยความจำ Micron Technology ประกาศหยุดพัฒนาหน่วยความจำแบบ 3D XPoint ที่ร่วมพัฒนากับอินเทลมาตั้งแต่ปี 2015 และใช้เป็นหน่วยความจำสำหรับ Intel Optane

3D XPoint เป็นหน่วยความจำประเภท non-volatile memory (NVM ปิดไฟแล้วข้อมูลยังอยู่) ที่มีตำแหน่งทางการตลาดอยู่ระหว่างแรมแบบ DRAM และสตอเรจแบบ Flash (เร็วกว่า Flash แต่ถูกกว่า DRAM) ซึ่งอินเทลนำมาพัฒนาเป็นผลิตภัณฑ์ตระกูล Optane ที่นำไปคั่นตรงกลางระหว่างแรมกับสตอเรจ ส่วน Micron เคยออก SSD มาตัวเดียวคือ X100

ไมครอนแถลงข่าวแสดงประสิทธิภาพของแรม GDDR6X ที่ใช้ในการ์ดจอ Nvidia ตระกูล RTX 3000 ว่าเป็นองค์ประกอบสำคัญที่ทำให้การ์ดจอรุ่นใหม่ของ Nvidia มีแบนด์วิดท์สูงขึ้นมากจนรับมือกับภาพระดับ 4K ได้ดีขึ้น จากการส่งข้อมูลแบบ PAM4 (4-level pulse amplitude modulation)

Nikkei Asian Review อ้างแหล่งข่าวภายในของบริษัท Infineon Technologies สองคน ระบุว่าบริษัทได้หยุดส่งชิปให้หัวเว่ยตั้งแต่สัปดาห์ที่ผ่านมา หลังจากคำสั่งประธานาธิบดีทรัมป์สั่งแบนหัวเว่ยและบริษัทในเครือ

ตัว Infineon เองเป็นบริษัทเยอรมัน อย่างไรก็ดีคำสั่งของทรัมป์มีผลกระทบ เพราะ Infineon ใช้เทคโนโลยีสหรัฐฯ ในสัดส่วนที่สูงจนมีผลบังคับ หากไม่ทำตามก็อาจถูกแบนแบบเดียวกับที่หัวเว่ยถูกแบนเพราะข้อกล่าวหาว่าขายเทคโนโลยีสหรัฐฯ ให้อิหร่าน

Micron คืออีกหนึ่งผู้ผลิตชิปแฟลชเมมโมรีที่ล่าสุดเขาเปิดตัวสถาปัตยกรรม SSD แบบใหม่ ชื่อ SolidScale ที่ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพ SSD ระดับดาต้าเซ็นเตอร์ โดยระบุว่าปัจจุบันนี้เราใช้งานประสิทธิภาพของ SSD แบบ NVMe แค่ 30-40% ของประสิทธิภาพจริงเท่านั้นทั้งอัตรา IOP และความจุ

SolidScale จะเข้ามาเพิ่มความสามารถให้ SSD ทำงานแชร์ทรัพยากรไปยังเซิร์ฟเวอร์เครื่องอื่นในกลุ่มเดียวกันได้ สเกลขยายขนาดได้ผ่านซอฟท์แวร์ โดยพัฒนาต่อยอดจาก NVMe over Fabric (NVMeoF) เชื่อมต่อกับเซิร์ฟเวอร์เครื่องอื่นๆ ด้วยโปรโตคอล RDMA over Converged Ethernet (RoCE) ดูคลิปประกอบน่าจะเข้าใจได้มากขึ้นครับ โดยตัวเลขความเร็วที่ Micron เคลมอยู่ที่ 10.9M IOPS เมื่อวัดกับโนด SolidScale ขนาด 2U จำนวน 3 ตัว พร้อมจำหน่ายจำนวนมากในปี 2018

Micron ประกาศนำแรมแบบ GDDR6 ลงสู่ตลาดภายในปีนี้ โดยแรมแบบ GDDR6 มีอัตราการส่งข้อมูล 16Gbps เหนือกว่าแรม GDDR5X ที่ทำได้ 12Gbps ในปัจจุบัน

เดิมที Micron ตั้งเป้าว่าจะออกแรม GDDR6 ในปีหน้า 2018 แต่ตัดสินใจเลื่อนให้เร็วขึ้น เพื่อตอบสนองความต้องการของกลุ่มเกมเมอร์ที่เปลี่ยนเครื่องกันบ่อยกว่าพีซีทั่วไป แนวทางของ Micron จะยังขายทั้งแรม GDDR6 สำหรับตลาดบน และ GDDR5X ในตลาดรองลงมา

ตอนนี้ยังไม่แน่ชัดว่าจะมีผู้ผลิตจีพียูรายไหนใช้แรม GDDR6 ช่วงปลายปีนี้หรือไม่ เพราะในตลาดเองก็เริ่มมีแรมแบบใหม่ๆ อย่าง HBM (high-bandwidth memory) ที่ใช้ในจีพียูบางตัวแล้ว เช่น NVIDIA Tesla P100

บริษัทไอทีหลายราย นำโดย AMD, Google, IBM, Mellanox, Micron ประกาศตั้งกลุ่ม OpenCAPI Consortium เพื่อพัฒนามาตรฐานบัสส่งข้อมูลความเร็วสูง Open Coherent Accelerator Processor Interface (OpenCAPI) เพื่อส่งข้อมูลระหว่างซีพียูไปยังหน่วยความจำพิเศษ (advanced memories) ตัวช่วยประมวลผล (accelerator เช่น จีพียูหรือ FPGA) และคอนโทรลเลอร์สำหรับงาน I/O

OpenCAPI ออกมาแก้ปัญหาสถาปัตยกรรม I/O ในปัจจุบันที่ใช้งานซีพียูหลักเยอะมาก และแนวทางการประมวลผลแบบใหม่ๆ ที่หันมาใช้ accelerator ช่วยประมวลผลมากขึ้น ทางกลุ่มจึงพัฒนาบัสแบบใหม่ขึ้นมา รองรับการส่งข้อมูล 25 Gbps ที่อัตรา latency ต่ำมาก (เทียบกับ PCIe ทำได้สูงสุด 16 Gbps)

Micron ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำอีกรายเปิดตัว SSD ที่ใช้ชิปเก็บข้อมูล NAND ที่ผลิตในแบบ 3D ในรุ่น TLC 1100 และ MLC 2100 ตามอินเทลที่เปิดตัวไปก่อนหน้าในรุ่น DC P3320 และ P3520 ซึ่งทำงานกับพอร์ต NVMe แต่ไดรฟ์ 1100 นี้จะใช้งานบน SATA 6Gb/s และ M.2 SATA (และ 2100 จะใช้บน NVMe) ซึ่งความเร็วจะต่ำกว่าแต่มีคนใช้แพร่หลายกว่า สเปคที่น่าสนใจของ Micron 1100 มีดังนี้ครับ (ยังไม่มีข้อมูลของ Micron 2100)

• ในรุ่น SATA 2.5" มีความจุตั้งแต่ 256GB ถึง 2TB
• ความเร็วอ่าน/เขียน 530/500 MB/s (แบบ sequential)
• อัตราเขียนข้อมูล 4K สุ่ม 83,000 IOPS / อัตราอ่านข้อมูล 4K สุ่ม 92,000 IOPS
• ความทนทานอยู่ที่การเขียนข้อมูลเฉลี่ย 224GB ต่อวัน ในระยะเวลา 5 ปี

อย่างที่ทราบกันว่าชิปแฟลชแบบ TLC จะช้าและทนทานน้อยกว่า MLC แต่เมื่อดูจากสเปคแล้วเทียบกับ SSD M600 ยี่ห้อเดียวกันที่ใช้ชิป MLC รุ่นปี 2014 ผลคือ TLC สมัยใหม่ทนกว่าแล้วครับ

ที่มา - The Register

อินเทลและไมครอนประกาศความสำเร็จของงานวิจัยร่วม 3D XPoint (อ่านว่า ทรี-ดี ครอส-พอยต์) หน่วยความจำแบบแฟลช โดยระบุว่าเป็นหน่วยความจำประเภทใหม่ครั้งแรกในรอบ 25 ปี

3D XPoint ประสิทธิภาพสูงกว่า NAND ได้ถึงพันเท่าตัว ทนทานต่อการใช้งานถึงพันเท่าตัว และหน่วยความจำหนาแน่นกว่าสิบเท่าตัว ทำให้สามารถใช้งานได้ทั้งงานที่ต้องการประสิทธิภาพสูง, พื้นที่ขนาดใหญ่, และต้องการเก็บข้อมูลระยะยาว

ไมครอนและอินเทลประกาศความพร้อมในการผลิตชิป 3D NAND ที่เพิ่มความจุของ NAND มากกว่าปัจจุบันถึงสามเท่าตัว ทำให้สามารถผลิต SSD ขนาด 2.5" ที่มีความจุมากกว่า 10TB ได้

3D NAND วางเซลล์แฟลชซ้อนกัน 32 ชั้น ทำให้สามารถสร้างชิป NAND แบบ MLC ความจุ 256 กิกะบิต และแบบ TLC ความจุ 384 กิกะบิต

ชิปความจุ 256 กิกะบิตเริ่มส่งมอบให้คู่ค้าแล้ววันนี้ ส่วนชิปแบบ TLC จะส่งมอบภายหลัง

ที่มา - Intel

เปิดตัวไปตั้งแต่งาน IDF 2011 จากความร่วมมือระหว่างอินเทล และ Micron Technology สำหรับหน่วยความจำประเภท DRAM ความเร็วสูงอย่าง Hybrid Memory Cube (HMC) ที่ประสิทธิภาพเหนือกว่าเทคโนโลยีในปัจจุบันหลายเท่า ซึ่งตอนนี้ Micron ออกมาประกาศแล้วว่าจะเริ่มผลิตหน่วยความจำประเภทนี้ และเริ่มส่งของได้ภายในต้นปีหน้าแล้ว

HMC เป็นหน่วยความจำตัวเลือกที่ทำมาเพื่อแข่งขันกับหน่วยความจำในปัจจุบันอย่าง DDR3 โดยเฉพาะ ความเหนือกว่าของ HMC คือการให้แบนด์วิธที่สูงกว่าถึง 15 เท่าตัว ในขณะที่มีอัตราการบริโภคพลังงานน้อยกว่าราว 70% เมื่อเทียบกับ DDR4 แล้วก็ยังให้แบนด์วิธสูงกว่าห้าเท่า และยังบริโภคพลังงานน้อยกว่า

ซิสโก้เพิ่งแถลงผลประกอบการประจำไตรมาสไปเมื่อสัปดาห์ที่แล้ว และผลออกมาไม่ดีนักเมื่อกำไรในบัญชีแบบ GAAP ลดลงถึง 54.5% ทั้งที่รายได้ลดลงไม่มากนัก ปรากฎว่าเงินจำนวนถึง 655 ล้านดอลลาร์เป็นค่าใช้จ่ายที่เกิดจากหน่วยความจำจากซัพพลายเออร์รายหนึ่งเสียหายมากกว่าปกติ กระทบสินค้าที่ขายไปในช่วงปี 2005-2010

หน่วยความจำมีอายุการใช้งานและมีโอกาสเสียหายเมื่อใช้งานไปเวลานานเป็นเรื่องปกติ บางครั้งเมื่อเสียหายจะไม่สามารถเปิดกลับมาใช้งานได้หลังปิดเครื่อง แต่สินค้าจำนวนหนึ่งกลับเสียหายด้วยอัตราผิดปกติ ทำให้ผู้บริหารซิสโก้ตัดสินใจเข้าาจัดการปัญหานี้แม้สินค้าส่วนใหญ่จะหมดประกันไปแล้วก็ตาม

แม้ว่ามาตรฐานแรมรุ่นถัดไปอย่าง DDR4 ยังไม่ได้ประกาศอย่างเป็นทางการ หลังจากที่ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาไปตั้งแต่ต้นปี 2011 แต่ตอนนี้ผู้ผลิตอย่าง Micron ได้พัฒนาแรม DDR4 ที่พร้อมสำหรับใช้งานจริงได้แล้ว และเริ่มส่งตัวอย่างไปยังคู่ค้าบางราย เพื่อเริ่มผลิตจำนวนมากในไตรมาสสุดท้ายของปีนี้แล้ว

มาตรฐาน DDR4 ของ Micron จะชิปขนาด 4Gb จำนวน 8-32 ชิ้นแล้วแต่รุ่น ซึ่งสามารถทำความเร็วส่งข้อมูลได้เริ่มต้นที่ 2400 MT/s และจะเพิ่มเป็น 3200 MT/s ในภายหลัง

Steve Appleton ผู้ซึ่งเป็น CEO และ Chairman ของบริษัท Micron Technology ได้เสียชีวิตในวันที่ 3 กุมภาพันธ์ 2555 ด้วยอุบัติเหตุเครื่องบินเล็กตกในเมือง Boise มลรัฐ Idaho ประเทศสหรัฐอเมริกา

ขอแสดงความเสียใจมา ณ. ที่นี้ด้วยครับ

ที่มา: Press Release ของ Micron Technology ผ่านทาง The Verge

นอกจากธุรกิจซีพียูแล้ว ธุรกิจที่สำคัญมากของอินเทลคือหน่วยความจำแบบแฟลชที่ใช้ในการ์ดแบบ CF, micro SD, รวมถึงดิสก์แบบ SSD ทั้งหลาย และวันนี้อินเทลก็ได้เปิดตัวชิปหน่วยความจำรุ่นใหม่ที่มีความจุสูงถึง 128Gb แล้ว โดยธุรกิจส่วนนี้อินเทลร่วมมือกับไมครอนในการพัฒนาในบริษัทที่ชื่อว่า IM Flash Technology (IMFT)

ชิปรุ่นใหม่นี้ใช้กระบวนการผลิตที่ 20 นาโนเมตร สามารถส่งข้อมูลได้ 333 ล้านครั้งต่อวินาที และ High-K metal gate ที่เป็นเทคนิคการผลิตเฉพาะของอินเทล

เทคโนโลยีใหม่นี้จะเริ่มเดินสายการผลิตตัวอย่างในต้นปี 2012 ส่วนระหว่างนี้อินเทลประกาศจะเดินหน้าสายการผลิตชิป 64Gb เป็นปริมาณมาก