SK Hynix ผู้ผลิตแรมรายใหญ่ประกาศร่วมมือกับ TSMC พัฒนากระบวนการผลิตแรม HBM4 รุ่นต่อไป โดยคาดว่าจะผลิตจำนวนมากได้ในปี 2026 จากเดิมที่ SK Hynix ใช้เทคโนโลยีของตัวเองผลิตแรม HBM มาเสมอ

ความร่วมมือครั้งนี้เป็นความร่วมมือบางส่่วน โดยแรม HBM นั้นประกอบไปด้วยชิปหลายตัว ตัว DRAM จริงๆ ซ้อนกันอยู่หลายๆ แผ่นเพื่อให้ได้แบนวิดท์สูง แล้วเชื่อมกับแผ่น base die ที่อยู่ล่างสุดเพื่อควบคุมการทำงานแรมและเชื่อมต่อกับชิปภายนอกเช่นชิปกราฟิก การประกาศครั้งนี้ SK Hynix จะใช้เทคโนโลยี base die ของ TSMC เพื่อให้สามารถแพ็กแรมได้เพิ่มขึ้น

แรม HBM กลายเป็นส่วนประกอบสำคัญของวงการ AI ในปีที่ผ่านมา และเป็นคอขวดหนึ่งในการส่งมอบเซิร์ฟเวอร์ฝึก AI ประสิทธิภาพสูง

ที่มา - SK Hynix