บริษัทสัญชาติอินเดีย Vedanta และ Foxconn ประกาศร่วมลงทุนมูลค่า 19.4 พันล้านเหรียญสหรัฐเพื่อสร้างโรงงานเซมิคอนดักเตอร์แห่งแรกในอินเดียในรัฐคุชราต โรงงานจะเริ่มผลิตได้ภายในปี 2024

บริษัททั้ง 2 ได้ลงนามกับรัฐบาลรัฐคุชราตเพื่อโรงงานเพื่อผลิตชิปและหน้าจอ โดย Vedanta ถือหุ้น 63% และ Foxconn ถือหุ้น 37% ในส่วนการผลิตชิป ส่วนฝั่งการผลิตกระจกสำหรับหน้าจอ Vedanta เป็นผู้ถือหุ้นทั้งหมด

ก่อนหน้านี้ สหรัฐอเมริกาได้ผ่านร่างกฎหมาย CHIPS and Science Act เพื่อให้เงินสนับสนุนราว 52,000 ล้านเหรียญกับการลงทุนและวิจัยในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ในประเทศรวมถึงการลดหย่อนภาษีให้กับบริษัทที่ตั้งโรงงานผลิตชิปในสหรัฐ โดยมีจุดประสงค์เพื่อลดการพึ่งพาประเทศอื่นโดยเฉพาะจีนซึ่งเป็นแหล่งที่ตั้งของโรงงานจำนวนมาก ภายหลังจากที่บริษัทต่าง ๆ ประสบปัญหาการขาดแคลนชิปจากการหยุดชะงักของซัพพลายเชนจากมาตรการ Zero-COVID ของจีน รวมถึงการแข่งขันกันเพื่อเป็นผู้นำด้านเทคโนโลยีระหว่างสหรัฐและจีนด้วย

เมื่อวันจันทร์ที่ผ่านมา สำนักงานอุตสาหกรรมและความมั่นคงของกระทรวงพาณิชย์สหรัฐได้สั่งแบนการส่งออกสินค้า 4 ประเภทที่เกี่ยวข้องกับด้านเทคโนโลยีและสงคราม

สินค้าที่ถูกสั่งแบนได้แก่ ซอฟต์แวร์กลุ่ม ECAD ที่ใช้เทคโนโลยี Gate-AllAround Field-Effect Transistor (GAAFET) ที่ใช้ในการออกแบบชิปขนาด 3 นาโนเมตรหรือต่ำกว่า, เทคโนโลยี Pressure Gain Combustion (PCG) ซึ่งใช้ในยานอวกาศ, และวัสดุตั้งต้นสำหรับผลิต semiconductor แบบ ultra-wide bandgap 2 ชนิด อย่างแกลเลียมออกไซด์หรือเพชร

Washington Post รายงานอ้างอิงแหล่งข่าวที่ไม่เปิดเผยตัว ระบุว่า Nancy Pelosi ประธานสภาผู้แทนราษฎรของสหรัฐอเมริกาเตรียมเข้าพบนาย Mark Liu ประธานบริษัท TSMC ซึ่งเป็นบริษัทผลิตชิปรายใหญ่ที่สุดแห่งไต้หวัน เพื่อหารือเรื่องการลงทุนตั้งโรงงานในสหรัฐ จากการเดินทางเยือนไต้หวันอย่างเป็นทางการครั้งนี้

เนื่องจากกฎหมาย Chips and Science Act เพิ่งผ่านสภา ทำให้รัฐบาลสหรัฐสามารถอุดหนุนเงินจำนวน 52 พันล้านเหรียญสหรัฐ สำหรับโรงงานผลิตชิปภายในประเทศ ซึ่ง TSMC ได้ตั้งโรงงานในเมือง Phoenix รัฐแอริโซนา มูลค่า 1.2 หมื่นล้านเหรียญไปแล้วด้วย

Mercedes-Benz รายงานว่าบริษัทได้สั่งหยุดการผลิตในโรงงานสองแห่งที่บราซิล คือโรงงานใน Sao Bernardo do Campo และใน Juiz de Fora ตั้งแต่วันที่ 18 เมษายน ถึงวันที่ 3 พฤษภาคม เนื่องจากปัญหาการขาดแคลนชิปในซัพพลายเชน

โรงงานของ Mercedes-Benz ในบราซิล เป็นส่วนการผลิตหัวรถบรรทุก ตัวรถบรรทุก และรถบัส ตลอดจนชิ้นส่วนอื่นที่เกี่ยวข้อง ผลกระทบจากคำสั่งนี้ ทำให้พนักงานรวม 5,600 คน ถูกให้พักร้อนในช่วงเวลาดังกล่าว

ก่อนหน้านี้โรงงาน Mercedes-Benz ในบราซิลเคยหยุดการผลิตไปครั้งหนึ่งในเดือนมีนาคม ซึ่งกระทบกับพนักงานประมาณ 1,200 คน

ที่มา: Reuters

กลายเป็นปัญหาระดับชาติไปแล้วสำหรับภาวะชิปเซมิคอนดักเตอร์ขาดแคลน กระทบอุตสาหกรรมเทคโนโลยี, รถยนต์, เครื่องใช้ไฟฟ้า จนรัฐบาลโจ ไบเดน ต้องวางแผนแก้ไขปัญหานี้ ล่าสุดทำเนียบขาวออกมาประกาศว่าจะมีการลงนามคำสั่งบริหารแก้ปัญหาอย่างเป็นทางการ

ในคำสั่งระบุต้องมีการตรวจสอบทันที 100 วันในหน่วยงานของรัฐบาลกลาง เพื่อแก้ไขช่องโหว่ห่วงโซ่อุปทานของผลิตภัณฑ์หลัก 4 รายการ คือ Active pharmaceutical ingredients หรือ APIs ส่วนประกอบสำคัญในการผลิตยา, แร่ธาตุที่ใช้ในการผลิตเครื่องกำเนิดไฟฟ้า, แบตเตอรี่ความจุสูง และชิปเซมิคอนดักเตอร์

Jen Psaki เลขาธิการสำนักข่าวทำเนียบขาว เผยว่ารัฐบาล โจ ไบเดน วางแผนจะดำเนินการแก้ไขปัญหาการขาดแคลนชิปทั่วโลก ส่งผลกระทบต่อผู้ผลิตรถยนต์, ผู้ผลิตแล็ปท็อป และอุตสาหกรรม semiconductor ต่างๆ ซึ่งเป็นปัญหาที่ยิ่งเพิ่มขึ้นเมื่อเกิดโรคระบาด และคนต้องทำงานและเรียนที่บ้าน

แม้ชิป Kirin จะเป็นชิปแบรนด์ Huawei เอง แต่เพราะ Huawei ไม่มีโรงงาน จึงต้องพึ่งการผลิตจาก TSMC แต่ข้อกำหนดใหม่ของสหรัฐ ทำให้ TSMC ไม่สามารถผลิตชิปให้กับ Huawei ได้อีกต่อไป และจากข่าวล่าสุด ดูเหมือนว่า Samsung ก็จะไม่ผลิตชิปให้กับ Huawei เช่นกัน โดยสำนักข่าว DigiTimes อ้างผู้สังเกตุการณ์ในอุตสาหกรรมว่าซัมซุงไม่น่าจะเสี่ยงเข้ามารับงานนี้ แม้จะเป็นผู้ผลิตหน้าจอ OLED และชิปหน่วยความจำให้กับ Huawei อยู่แล้วก็ตาม และอาจจะยังผลิตชิปโมเด็มให้กับมือถือรุ่นกลางถึงล่างของ Huawei อีกด้วย

Huawei เปิดตัวชิปโมเด็ม 5G ในชื่อ TIANGANG โดยระบุว่าจะทำให้สถานีฐานใช้พลังงานน้อยลง 21%,ขนาดเล็กลง 50%, น้ำหนักเบาขึ้น 23% และใช้เวลาติดตั้งเพียงครึ่งเดียวเมื่อเทียบกับสถานีฐานแบบ 4G

แม้ขนาดเล็กลง แต่ชิป TIANGANG มีพลังประมวลผลสูงกว่ารุ่นก่อนหน้า 2.5 เท่าตัว รองรับช่องสัญญาณ 64 ช่อง และแถบคลื่นความถี่ถึง 200MHz

Qualcomm เปิดตัวชิปรุ่นใหม่ Snapdragon Wear 3100 สำหรับสมาร์ทวอทช์ มาพร้อมโหมด Ultra-low power ใช้พลังงานลดลง 67% ยืดอายุของแบตเตอรี่ให้อยู่ได้นาน 2 วัน ใช้ได้กับนาฬิกา Wear OS

Elon Musk นายใหญ่แห่ง Tesla ได้เปิดเผยว่าบริษัทรถยนต์ของเขาได้ซุ่มพัฒนาชิปสำหรับปัญญาประดิษฐ์เพื่อติดตั้งใช้งานในรถยนต์มา 2 - 3 ปีแล้ว โดยชิปนี้เป็นส่วนหนึ่งของระบบคอมพิวเตอร์สำหรับรถยนต์ที่ Tesla เรียกว่า "Hardware 3"

ชิปที่พัฒนาเองนี้จะเพิ่มพลังประมวลผลให้กับระบบปัญญาประดิษฐ์ของรถยนต์ Tesla โดย Pete Bannon ผู้อำนวยการของ Tesla ระบุว่าตอนนี้อยู่ในช่วงการทดสอบประสิทธิภาพการใช้งานจริงบนท้องถนน ทั้งนี้ชิปตัวใหม่จะรองรับการทำงานของระบบคอมพิวเตอร์วิทัศน์ทำให้ประมวลผลภาพได้ราว 2,000 เฟรมต่อวินาที เหนือกว่า GPU บนแพลตฟอร์ม NVIDIA DRIVE ที่ Tesla เคยใช้งานมาตลอดประมาณ 10 เท่า

เว็บไซต์ Tom's Hardware รายงานข้อมูลชิปอินเทลรุ่นใหม่ Core 9th Gen ภายใต้สถาปัตยกรรม Coffee Lake S เริ่มต้นที่ Core i3-9000 สูงสุดที่ Core i5-9600K

ชิป Core 9th Gen เป็นอีกหนึ่งอัพเดตจากตระกูล Core 8th Gen ซึ่งคาดว่าจะยังใช้กระบวนการผลิตแบบ 14nm++ แบ่งออกเป็น 7 รุ่น รองรับชิปปล่อยความร้อน 65 วัตต์ สำหรับเดสก์ทอป โดยรุ่นล่างสุดเป็น Core i3-9000 มี 4 คอร์, สัญญาณนาฬิกา 3.7 GHz ขณะที่รุ่นบนสุด Core i5-9600K มี 6 คอร์, สัญญาณนาฬิกา 3.7 GHz, Boost สูงสุดที่ 4.5 GHz

ส่วนราคาและวันวางขายยังไม่เปิดเผยในเวลานี้

Qualcomm เปิดตัว Snapdragon 632, 439 และ 429 ให้ประสิทธิภาพด้านจัดการพลังงานดีขึ้น สำหรับสมาร์ทโฟนระดับกลาง

Intel ใช้เวที Computex 2018 เปิดตัวซีพียู Core i7-8086K Limited Edition ที่สามารถ Turbo Boost สูงสุดได้ถึง 5GHz

Core i7-8086K Limited Edition มี 6 คอร์ 12 เธรด, สัญญาณนาฬิกา 4GHz, Turbo Boost สูงสุดที่ 5GHz, รองรับชุดคำสั่งแบบ 64 บิต

ซีพียูรุ่นพิเศษจาก Intel ตัวนี้เป็นการฉลองครบรอบ 40 ปี ของการเปิดตัว Intel 8086 ไมโครโปรเซสเซอร์ บนสถาปัตยกรรม x86 พรัอมกับฉลองปีที่ 50 ของบริษัทอีกด้วย โดยจะเริ่มวางจำหนายในวันที 8 มิถุนายนนี้

หลังจากออกชิปประมวลผลรุ่นรองท็อปตัวใหม่ Snapdragon 700 Mobile Platform เมื่อตอนต้นปีที่ผ่านมา ล่าสุด Qualcomm เปิดตัว Snapdragon 710 mobile platform ที่ปรับลดฟีเจอร์จากซีรีส์ 800 รุ่นท็อปเล็กน้อย

ชิพคอมพิวเตอร์ควอนตัมที่เรามักจะได้ยินกันบ่อยๆ ในงานวิจัย คือชิพแบบ superconducting ที่บริษัทใหญ่ๆ อย่างกูเกิล, IBM, และอินเทลกำลังวิจัยสร้างอยู่ และชิพแบบ trapped ion ที่ใช้เลเซอร์ในการดักจับไอออนและแก้ไขสถานะของคิวบิต

แต่โลกของการวิจัยชิพควอนตัมก็ไม่ได้จบอยู่ที่สองแบบนี้เท่านั้น ก่อนหน้านี้ อินเทลเคยประกาศไว้ว่ากำลังวิจัยชิพที่ทำจากซิลิคอนด้วยเช่นกัน โดยเชื่อว่าชิพซิลิคอนนี้จะมีขนาดเล็กกว่าชิพแบบอื่นเมื่อมีจำนวนคิวบิตเท่ากัน สามารถคงสถานะของคิวบิตได้นานกว่า สามารถทำงานที่อุณหภูมิสูงกว่าชิพแบบ superconducting ได้ และที่สำคัญคือ อินเทลมี know-how ในการสร้างชิพจากซิลิคอนอยู่แล้วด้วย

Intel ได้อธิบายอย่างเป็นทางการถึงช่องโหว่ความปลอดภัยบนชิพซึ่งเกิดจากการออกแบบ โดยช่องโหว่นี้เปิดให้แฮกเกอร์ที่รันโค้ดในระดับผู้ใช้สามารถรู้ตำแหน่งของฟังก์ชั่นต่าง ๆ ในเคอร์เนลได้ ซึ่งตำแหน่งของเคอร์เนลนี้ควรจะถูกซ่อนไว้จากระดับผู้ใช้ โดยในคำอธิบาย Intel ไม่ใช่คำว่าช่องโหว่ แต่ใช้คำว่า software analysis method ซึ่งทำให้สามารถเห็นและเก็บข้อมูลสำคัญจากอุปกรณ์ได้ แต่ก็ยังไม่สามารถที่จะใส่สิ่งเจือปน, ลบ หรือแก้ไขข้อมูลได้ และตอนนี้ยังไม่มีหลักฐานการใช้ช่องโหว่นี้ในการโจมตี

เมื่อสัปดาห์ที่ผ่านมา อินเทลร่วมกับศูนย์วิจัย QuTech จากเนเธอร์แลนด์ ผลิตชิพควอนตัมขนาด 17 คิวบิตเพื่อใช้ในงานทดสอบของตัวเองแล้ว

LG ได้จดทะเบียนเครื่องหมายการค้าใหม่กับ European Intellectual Property Office หรือสำนักงานทรัพย์สินทางปัญญาของยุโรป ซึ่งทั้งสองไม่น่าจะเกี่ยวกับสมาร์ทโฟน, ทีวี หรือผลิตภัณฑ์อื่น ๆ แต่น่าจะเกี่ยวกับชิพมากกว่า

สำหรับเครื่องหมายการค้าที่ LG จด มีทั้ง Kromax และ Epik โดยรายละเอียดของเครื่องหมายการค้าไม่ได้ระบุไว้ชัดเจน เพียงแต่บอกว่าเกี่ยวกับ “Chips” และ “Multiprocessor Chips” และไม่ได้บอกชัดเจนด้วยว่าชิพเหล่านี้จะนำไปใช้งานกับอุปกรณ์ใด

เมื่อวันศุกร์ที่ผ่านมา Samsung ประกาศเปิดตัวชิปแรมขนาด 6 GB ที่ผลิตบนเทคโนโลยี 10 nm ที่งาน Mobile Solutions Forum จัดขึ้นที่เมือง Shenzhen ประเทศจีน

ตัวชิปดังกล่าวมีรายละเอียดน้อยมาก นอกจากระบุว่าทำงานตามมาตรฐาน LPDDR4 เท่านั้น ซึ่งสื่ออย่าง Android Authority คาดว่าชิปตัวนี้จะถูกเอาไปใช้กับสมาร์ทโฟนที่เป็นเรือธงตัวต่อไปของบริษัท ซึ่งก็คือ Galaxy Note 6 ครับ

ที่มา - Android Authority

Apple ถูกฟ้องร้องฐานใช้ชิปที่ผลิตโดยใช้กระบวนการที่สงวนไว้ตามสิทธิบัตรที่มีการจดไว้ตั้งแต่ปี 1997 โดยเจ้าของสิทธิบัตรผู้ยื่นฟ้องในครั้งนี้ก็คือ MIT

MIT ได้ยื่นฟ้องที่ศาลใน Boston โดยระบุว่าผู้ผลิตชิป Micron Technology จาก Idaho นั้นผลิตชิป DRAM ให้ Apple โดยอาศัยเทคนิคการผลิตที่มีการตัดวัสดุด้วยเลเซอร์ ซึ่ง MIT อ้างว่าเทคนิคการผลิตชิปดังกล่าวนั้นได้รับความคุ้มครองตามสิทธิบัตรหมายเลข 6,057,221 ที่ MIT ถือครองอยู่ ซึ่งสิทธิบัตรนี้ถูกยื่นจดตั้งแต่ปี 1997 และได้รับการอนุมัติในปี 2000 ทั้งนี้ชื่อของผู้คิดค้นกระบวนการตัดชิ้นงานผลิตชิปด้วยเลเซอร์ตามที่ระบุในสิทธิบัตรนั้นก็คือ Joseph Bernstein และ Zhihui Duan

ดร. Kinam Kim ผู้บริหารซัมซุงฝ่ายเซมิคอนดักเตอร์ได้ยืนยันว่าบริษัทเริ่มผลิตชิปที่สถาปัตยกรรมขนาด 14 นาโนเมตรแบบ FinFET แล้ว หลังจากมีข่าวลือออกมาเมื่อเดือนกรกฎาคมที่ผ่านมาว่าซัมซุงจะผลิตชิประดับ 14 นาโนเมตรให้ Qualcomm

อย่างไรก็ตาม ซัมซุงปฏิเสธที่จะเปิดเผยว่าลูกค้าที่สั่งผลิตชิปดังกล่าวเป็นใคร แต่คงหนีไม่พ้น Qualcomm หรือ Apple ที่เป็นสองลูกค้ารายใหญ่ที่สุดในวงการนี้ และต่างคนต่างต้องการชิปขนาดเล็กลงเพราะชิป 14 นาโนเมตรจะกินไฟต่ำกว่าชิป 20 นาโนเมตรถึง 30% และยังมีประสิทธิภาพดีกว่าถึง 20%

เทคโนโลยีการชาร์จไฟไร้สายสำหรับอุปกรณ์พกพาในปัจจุบันนี้มีด้วยกันหลายแบบหลายมาตรฐาน ซึ่งถือเป็นปัญหาอย่างหนึ่งสำหรับผู้ผลิตอุปกรณ์ว่าควรจะเลือกสร้างผลิตภัณฑ์ให้สอดคล้องกับมาตรฐานไหนดี และจุดนี้เองที่ Broadcom ได้มองเห็นปัญหาจนเป็นที่มาของการพัฒนาชิป BCM59350 สำหรับการชาร์จไฟไร้สายซึ่งรองรับกับทุกมาตรฐานที่มีอยู่ในขณะนี้

ในขณะที่มีข่าวว่าโครงการโทรศัพท์แบบแยกชิ้นส่วนประกอบเองได้ Project Ara ของ Google จะมีของวางขายจริงในปีหน้า ตอนนี้ก็มีข้อมูลเพิ่มเติมว่า Toshiba จะเป็นผู้ผลิตชิปให้กับสมาร์ทโฟนดังกล่าว

หน่วยประมวลผลที่ Toshiba จะผลิตขึ้นมาสำหรับ Project Ara นี้มีแบ่งออกเป็น 3 รุ่น โดยจะมีทั้งแบบที่ใช้เป็นหน่วยประมวลหลักของตัวสมาร์ทโฟนเอง และมีใช้เป็นหน่วยประมวลของโมดูลย่อยที่จะผลิตแยกชิ้นออกมาให้ผู้ใช้นำไปประกอบกับตัวเครื่องเองได้ด้วยเช่นกัน โดยชิปตัวอย่างจะถูกผลิตและส่งให้ Google ตรวจสอบพิจารณาในช่วงกลางปีนี้ ก่อนจะเริ่มเดินสายการผลิตจริงจังในช่วงต้นปีหน้าเป็นต้นไป

สร้างผลงานไม่หยุดหย่อน สำหรับสองบริษัท Intel และ Micron หลังจากปีก่อนเพิ่งประกาศเริ่มการผลิตชิปบนสถาปัตยกรรม 25 นาโนเมตรไปหมาดๆ และล่าสุดทั้งสองบริษัทจับมือกันประกาศเริ่มสายการผลิตสำหรับขนาด 20 นาโนเมตร อีกครั้ง

รายละเอียดของชิปนี้ได้แก่ ผลิตด้วยสถาปัตยกรรม 20 นาโนเมตรแบบ MLC NAND ความจุที่ทำได้ในขณะนี้คือ 8GB มีขนาด 118ตารางมิลลิเมตร ซึ่งจะช่วยลดขนาดของบอร์ดลงไปได้ 30-40 เปอร์เซ็นต์ทีเดียว และในอนาคตทั้งสองบริษัทมีแผนจะปล่อยหน่วยความจำแบบ 16GB ที่ผลิตบนสถาปัตยกรรมแบบเดียวกันนี้ และจะส่งผลให้ SSD ความจุ 128GB มีขนาดเท่าแสตมป์เท่านั้น

ที่มา - Engadget